1 3

5SHX2645L0006 3BHB012961R0002 | ABB| IGCT Modülü
SKU: 5SHX2645L0006 3BHB012961R0002

  • Manufacturer: ABB

  • Product No.: 5SHX2645L0006 3BHB012961R0002

  • Condition：Stokta var

  • Product Type: IGCT Modülü

  • Product Origin: Switzerland

  • Payment:T/T, Western Union

  • Weight: 2000g

  • Shipping port: Xiamen

  • Warranty: 12 months

Tanım

ABB 5SHX 2645L0006, yüksek güçlü anahtarlama uygulamaları için tasarlanmış bir Geribildirimli Entegre Kapı Komütatör Thyristor (IGCT) modülüdür. Orta frekanslı işlemler için optimize edilmiştir ve Orta Voltaj Sürücüleri (MVD), çekiş sistemleri, rüzgar enerjisi dönüşümü, FACTS, Katı Hal Kesicileri (SSB), güç kalitesi iyileştirme ve indüksiyon ısıtma dahil olmak üzere sanayi ve yenilenebilir enerji sistemlerinde yaygın olarak kullanılmaktadır.

Özellikler

  • Yüksek Snubberless Kapatma Değeri
  • Orta Frekans için Optimize Edilmiş
  • Yüksek Elektromanyetik Bağışıklık
  • Durum Geri Bildirimi ile Basit Kontrol Arayüzü
  • AC veya DC Besleme Voltajı ile Uyumlu
  • Seri Bağlantı Seçeneği (detaylar için fabrikayla iletişime geçin)

Teknik özellikler

  • Parça Numarası: 5SHX2645L0006 | 3BHB012961R0002
  • Üretici firma: ABB
  • Ürün tipi: Ters Akım Yapan IGCT Modülü
  • Nominal Akım (ITGQM): 2200 A
  • Maksimum Engelleme Voltajı (VDRM): 4500 V
  • Maks. Zirve Tekrarsız Darbe Akımı (ITSM): 17 kA
  • Eşik Voltajı (VT0): 1.8 V
  • Açık Durum Voltajı (VT): 2.3 ile 2.95 V arasında, IT = 2200 A, Tj = 125 °C
  • Eğim Direnci (rT): 0.533 mΩ
  • Sürekli DC Voltajı (VDC): 2800 V
  • Tekrarlayan Zirve Kapalı Durum Akımı (IDRM): ≤ 50 mA (VD = VDRM, Kapı Ünitesi enerjilidir)
  • Montaj Kuvveti (FM): 42 ile 46 kN
  • Kutu Parçası Çapı (Dp): 85 mm ± 0.1 mm
  • Konut Kalınlığı (H): 25.7 ile 26.2 mm (sıkıştırılmış Fm = 44 kN)
  • Ağırlık (m): 2.9 kg
  • Yüzey Sızma Mesafesi (DS): 33 mm (Anot ile Kapı arasında)
  • Hava Saldırısı Mesafesi (Da): 10 mm (Anot'tan Kapıya)
  • Uzunluk (l): 439 mm ± 1.0 mm
  • Yükseklik (h): 41 mm ± 1.0 mm
  • Genişlik (w): 173 mm ± 1.0 mm
  • Ortalama Açık Durum Akımı (IT(AV)M): 1010 A (Yarım sinüs dalgası, Tc = 85 °C)
  • RMS Açık Durum Akımı (IT(RMS)): 1590 A
  • Zirve Tekrarsız Darbe Akımı (ITSM):
    • 25 kA (tp = 3 ms, Tj = 125 °C, sinüs yarım dalga)
    • 17 kA (tp = 10 ms, Tj = 125 °C, sinüs yarım dalga)
    • 13 kA (tp = 30 ms, Tj = 125 °C, sinüs yarım dalga)
  • Yük Sınırlama İntegrali (I²t):
    • 938·10³ A²s (tp = 3 ms)
    • 1.45·10⁶ A²s (tp = 10 ms)
    • 2.55·10⁶ A²s (tp = 30 ms)
  • Açık Durum Akımının Kritik Artış Hızı (diT/dt(cr)): 100 A/µs
  • Açılma Gecikme Süresi (td(on)): 3.5 µs (Tj = 125 °C, VD = 2800 V, IT = 2200 A, di/dt = VD / Li, Li = 5 µH, CCL = 10 µF, LCL = 300 nH, DCL = 5SDF 10H4503)
  • Turn-On Gecikme Süresi Durum Geri Bildirimi (td(on) SF): 7 µs
  • Yükselme Süresi (tr): 1 µs
  • Puls Başına Enerji (Eon): 0.85 J
  • Kontrol Edilebilir Kapatma Akımı (ITGQM1): 2200 A (VDM ≤ VDRM, Tj = 125 °C, Rs = 0.65 Ω, CCL = 10 µF, LCL ≤ 300 nH, DCL = 5SDF 10H4503, VD = 2800 V)
  • Kontrol Edilebilir Kapatma Akımı (ITGQM2): 1100 A (VD = 3200 V)
  • Kapama Gecikme Süresi (td(off)): 7 µs (VD = 2800 V, Tj = 125 °C, VDM ≤ VDRM, Rs = 0.65 Ω, ITGQ = 2200 A, Li = 5 µH, CCL = 10 µF, LCL = 300 nH, DCL = 5SDF 10H4503)
  • Kapama Gecikme Süresi Durum Geri Bildirimi (td(off) SF): 7 µs
  • Puls Başına Enerji Kapatma (Eoff): 7.8 ile 12 J
  • Diyot Ortalama Açık Durum Akımı (IF(AV)M): 390 A (Yarım sinüs dalgası, TC = 85 °C)
  • Diyot RMS Açık Durum Akımı (IF(RMS)): 620 A
  • Diyot Zirve Tekrarsız Darbe Akımı (IFSM):
    • 14.3 kA (tp = 3 ms, Tj = 125 °C)
    • 10.6 kA (tp = 10 ms, Tj = 125 °C)
  • Diyot Sınırlama Yük Entegrali (I²t):
    • 307·10³ A²s (tp = 3 ms)
    • 562·10³ A²s (tp = 10 ms)
  • Diyot Açık Durum Voltajı (VF): 3.54 ile 5.4 V, IF = 1800 A, Tj = 125 °C
  • Diyot Eşik Gerilimi (V(F0)): 2.7 V (Tj = 125 °C, IT = 400 A - 3000 A)
  • Diyot Eğim Direnci (rF): 1.24 mΩ
  • Zirve İleri Kurtarma Voltajı (VFRM):
    • 80 V (dIF/dt = 650 A/µs, Tj = 125 °C)
    • 250 V (dIF/dt = 3000 A/µs, Tj = 125 °C)
  • Bozulma Hızı Açık Durum Akımı (di/dt(cr)):
    • 650 A/µs (IFM = 2200 A, Tj = 125 °C, VDClink = 2800 V)
    • 650 A/µs (IFM = 3200 A, Tj = 125 °C, VDClink = 1900 V)
  • Gerileme İyileşme Akımı (IRM): 900 A (Tj = 125 °C, IFM = 2200 A, VD = 2800 V, -dIF/dt = 650 A/µs, LCL = 300 nH, CCL = 10 µF, Rs = 0.65 Ω, DCL = 5SDF 10H4503)
  • Gerileme İyileştirme Ücreti (Qrr): 2800 µC
  • Kapama Enerjisi (Erec): 2.7 ile 4 J
  • Kapı Birimi Voltajı (VGin): 28 ile 40 V (AC kare dalga genliği veya DC voltaj, 15 kHz - 100 kHz)
  • Kapı Ünitesini Güçlendirmek için Min. Akım (IGin Min): 2 A (düzeltme ortalama akım)
  • Kapı Ünitesi Güç Tüketimi (PGin Max): 130 W
  • İç Akım Sınırlaması (IGin Max): 8 A (Kapı Birimi tarafından sınırlanan doğrultulmuş ortalama akım)
  • Optik Giriş Gücü (Pon CS): -15 ile -1 dBm (CS: Komut sinyali, 1mm plastik optik fiber (POF) için geçerlidir)
  • Optik Gürültü Gücü (Poff CS): -45 dBm
  • Optik Çıkış Gücü (Pon SF): -19 ile -1 dBm (SF: Durum geri bildirimi)
  • Optik Gürültü Gücü (Poff SF): -50 dBm
  • Darbe Genişliği Eşiği (tGLITCH): 400 ns (tepki vermeyen maksimum darbe genişliği)
  • Dış Yeniden Tetikleme Darbe Genişliği (tretrig): 700 ile 1100 ns
  • Junction Çalışma Sıcaklığı (Tvj): 0 ile 125 °C
  • Depolama Sıcaklık Aralığı (Tstg): 0 ile 60 °C
  • Ortam Çalışma Sıcaklığı (Ta): 0 ile 50 °C
  • Geçici Termal Empedans (Z(t)) için GCT:
    • Ri(K/kW): 8.769, 1.909, 1.218, 0.699
    • τi(s): 0.5407, 0.0792, 0.0091, 0.0025
  • Diyot için Geçici Termal Empedans (Z(t)):
    • Ri(K/kW): 17.057, 5.007, 2.498, 1.439
    • τi(s): 0.5460, 0.0829, 0.0089, 0.0023
Sipariş ve Garanti Bilgileri

Satın Alma ve İade Şartları

Minimum sipariş miktarı, teslimat süreleri, ödeme seçenekleri, garanti ve iade politikaları hakkında ayrıntılı yönergeler.

Şimdi kontrol edin

Toplu siparişleri memnuniyetle kabul ediyoruz, minimum sipariş miktarı sadece bir birimdir.

Talep üzerine, Menşei/Uygunluk Sertifikaları ve diğer gerekli ihracat belgeleri dahil olmak üzere tüm gerekli belgeleri sağlayabiliriz.

Gönderimden önce %100 T/T (Telegraphic Transfer) ödemesini kabul ediyoruz. Teslim süreleri olan ürünler için, önceden %30 depozito gereklidir, kalan %70 ise gönderimden önce ödenmelidir. RMB transferleri için, Çin'de bir acenteniz varsa lütfen bizimle iletişime geçin.

Tüm yeni ve orijinal ürünler, standart bir yıllık garanti ile birlikte gelir. Uzatılmış garanti seçenekleri için fiyat detayları için bizimle iletişime geçmekten çekinmeyin.

Müşteri memnuniyetinizi öncelikli olarak değerlendiriyoruz. Bir ürünü iade etmeniz gerekiyorsa, bu işlemin satın alma tarihinden itibaren 30 gün içinde yapılması gerekmektedir. Ürün kullanılmamış, açılmamış ve tüm aksesuarlarıyla birlikte orijinal ambalajında olmalıdır. İade alındıktan sonra geri ödemeler 5-7 iş günü içinde işleme alınacaktır. Lütfen dikkat edin, nakliye ve işleme ücretleri iade edilemez.
Şimdi kontrol edin

Ürün karşılaştırması

5SHX2645L0006 3BHB012961R0002 | ABB| IGCT Modülü
5SHX2645L0006 3BHB012961R0002 | ABB| IGCT Modülü
5SHX2645L0006 3BHB012961R0002 | ABB| IGCT Modülü
Güncel ürün Akım
ABB

5SHX2645L0006 3BHB012961R0002 | ABB| IGCT Modülü

Seçenekler
Stokta var
Açıklamalar

Tanım

ABB 5SHX 2645L0006, yüksek güçlü anahtarlama uygulamaları için tasarlanmış bir Geribildirimli Entegre Kapı Komütatör Thyristor (IGCT) modülüdür. Orta frekanslı işlemler için optimize edilmiştir ve Orta Voltaj Sürücüleri (MVD), çekiş sistemleri, rüzgar enerjisi dönüşümü, FACTS, Katı Hal Kesicileri (SSB), güç kalitesi iyileştirme ve indüksiyon ısıtma dahil olmak üzere sanayi ve yenilenebilir enerji sistemlerinde yaygın olarak kullanılmaktadır.

Özellikler

  • Yüksek Snubberless Kapatma Değeri
  • Orta Frekans için Optimize Edilmiş
  • Yüksek Elektromanyetik Bağışıklık
  • Durum Geri Bildirimi ile Basit Kontrol Arayüzü
  • AC veya DC Besleme Voltajı ile Uyumlu
  • Seri Bağlantı Seçeneği (detaylar için fabrikayla iletişime geçin)

Teknik özellikler

  • Parça Numarası: 5SHX2645L0006 | 3BHB012961R0002
  • Üretici firma: ABB
  • Ürün tipi: Ters Akım Yapan IGCT Modülü
  • Nominal Akım (ITGQM): 2200 A
  • Maksimum Engelleme Voltajı (VDRM): 4500 V
  • Maks. Zirve Tekrarsız Darbe Akımı (ITSM): 17 kA
  • Eşik Voltajı (VT0): 1.8 V
  • Açık Durum Voltajı (VT): 2.3 ile 2.95 V arasında, IT = 2200 A, Tj = 125 °C
  • Eğim Direnci (rT): 0.533 mΩ
  • Sürekli DC Voltajı (VDC): 2800 V
  • Tekrarlayan Zirve Kapalı Durum Akımı (IDRM): ≤ 50 mA (VD = VDRM, Kapı Ünitesi enerjilidir)
  • Montaj Kuvveti (FM): 42 ile 46 kN
  • Kutu Parçası Çapı (Dp): 85 mm ± 0.1 mm
  • Konut Kalınlığı (H): 25.7 ile 26.2 mm (sıkıştırılmış Fm = 44 kN)
  • Ağırlık (m): 2.9 kg
  • Yüzey Sızma Mesafesi (DS): 33 mm (Anot ile Kapı arasında)
  • Hava Saldırısı Mesafesi (Da): 10 mm (Anot'tan Kapıya)
  • Uzunluk (l): 439 mm ± 1.0 mm
  • Yükseklik (h): 41 mm ± 1.0 mm
  • Genişlik (w): 173 mm ± 1.0 mm
  • Ortalama Açık Durum Akımı (IT(AV)M): 1010 A (Yarım sinüs dalgası, Tc = 85 °C)
  • RMS Açık Durum Akımı (IT(RMS)): 1590 A
  • Zirve Tekrarsız Darbe Akımı (ITSM):
    • 25 kA (tp = 3 ms, Tj = 125 °C, sinüs yarım dalga)
    • 17 kA (tp = 10 ms, Tj = 125 °C, sinüs yarım dalga)
    • 13 kA (tp = 30 ms, Tj = 125 °C, sinüs yarım dalga)
  • Yük Sınırlama İntegrali (I²t):
    • 938·10³ A²s (tp = 3 ms)
    • 1.45·10⁶ A²s (tp = 10 ms)
    • 2.55·10⁶ A²s (tp = 30 ms)
  • Açık Durum Akımının Kritik Artış Hızı (diT/dt(cr)): 100 A/µs
  • Açılma Gecikme Süresi (td(on)): 3.5 µs (Tj = 125 °C, VD = 2800 V, IT = 2200 A, di/dt = VD / Li, Li = 5 µH, CCL = 10 µF, LCL = 300 nH, DCL = 5SDF 10H4503)
  • Turn-On Gecikme Süresi Durum Geri Bildirimi (td(on) SF): 7 µs
  • Yükselme Süresi (tr): 1 µs
  • Puls Başına Enerji (Eon): 0.85 J
  • Kontrol Edilebilir Kapatma Akımı (ITGQM1): 2200 A (VDM ≤ VDRM, Tj = 125 °C, Rs = 0.65 Ω, CCL = 10 µF, LCL ≤ 300 nH, DCL = 5SDF 10H4503, VD = 2800 V)
  • Kontrol Edilebilir Kapatma Akımı (ITGQM2): 1100 A (VD = 3200 V)
  • Kapama Gecikme Süresi (td(off)): 7 µs (VD = 2800 V, Tj = 125 °C, VDM ≤ VDRM, Rs = 0.65 Ω, ITGQ = 2200 A, Li = 5 µH, CCL = 10 µF, LCL = 300 nH, DCL = 5SDF 10H4503)
  • Kapama Gecikme Süresi Durum Geri Bildirimi (td(off) SF): 7 µs
  • Puls Başına Enerji Kapatma (Eoff): 7.8 ile 12 J
  • Diyot Ortalama Açık Durum Akımı (IF(AV)M): 390 A (Yarım sinüs dalgası, TC = 85 °C)
  • Diyot RMS Açık Durum Akımı (IF(RMS)): 620 A
  • Diyot Zirve Tekrarsız Darbe Akımı (IFSM):
    • 14.3 kA (tp = 3 ms, Tj = 125 °C)
    • 10.6 kA (tp = 10 ms, Tj = 125 °C)
  • Diyot Sınırlama Yük Entegrali (I²t):
    • 307·10³ A²s (tp = 3 ms)
    • 562·10³ A²s (tp = 10 ms)
  • Diyot Açık Durum Voltajı (VF): 3.54 ile 5.4 V, IF = 1800 A, Tj = 125 °C
  • Diyot Eşik Gerilimi (V(F0)): 2.7 V (Tj = 125 °C, IT = 400 A - 3000 A)
  • Diyot Eğim Direnci (rF): 1.24 mΩ
  • Zirve İleri Kurtarma Voltajı (VFRM):
    • 80 V (dIF/dt = 650 A/µs, Tj = 125 °C)
    • 250 V (dIF/dt = 3000 A/µs, Tj = 125 °C)
  • Bozulma Hızı Açık Durum Akımı (di/dt(cr)):
    • 650 A/µs (IFM = 2200 A, Tj = 125 °C, VDClink = 2800 V)
    • 650 A/µs (IFM = 3200 A, Tj = 125 °C, VDClink = 1900 V)
  • Gerileme İyileşme Akımı (IRM): 900 A (Tj = 125 °C, IFM = 2200 A, VD = 2800 V, -dIF/dt = 650 A/µs, LCL = 300 nH, CCL = 10 µF, Rs = 0.65 Ω, DCL = 5SDF 10H4503)
  • Gerileme İyileştirme Ücreti (Qrr): 2800 µC
  • Kapama Enerjisi (Erec): 2.7 ile 4 J
  • Kapı Birimi Voltajı (VGin): 28 ile 40 V (AC kare dalga genliği veya DC voltaj, 15 kHz - 100 kHz)
  • Kapı Ünitesini Güçlendirmek için Min. Akım (IGin Min): 2 A (düzeltme ortalama akım)
  • Kapı Ünitesi Güç Tüketimi (PGin Max): 130 W
  • İç Akım Sınırlaması (IGin Max): 8 A (Kapı Birimi tarafından sınırlanan doğrultulmuş ortalama akım)
  • Optik Giriş Gücü (Pon CS): -15 ile -1 dBm (CS: Komut sinyali, 1mm plastik optik fiber (POF) için geçerlidir)
  • Optik Gürültü Gücü (Poff CS): -45 dBm
  • Optik Çıkış Gücü (Pon SF): -19 ile -1 dBm (SF: Durum geri bildirimi)
  • Optik Gürültü Gücü (Poff SF): -50 dBm
  • Darbe Genişliği Eşiği (tGLITCH): 400 ns (tepki vermeyen maksimum darbe genişliği)
  • Dış Yeniden Tetikleme Darbe Genişliği (tretrig): 700 ile 1100 ns
  • Junction Çalışma Sıcaklığı (Tvj): 0 ile 125 °C
  • Depolama Sıcaklık Aralığı (Tstg): 0 ile 60 °C
  • Ortam Çalışma Sıcaklığı (Ta): 0 ile 50 °C
  • Geçici Termal Empedans (Z(t)) için GCT:
    • Ri(K/kW): 8.769, 1.909, 1.218, 0.699
    • τi(s): 0.5407, 0.0792, 0.0091, 0.0025
  • Diyot için Geçici Termal Empedans (Z(t)):
    • Ri(K/kW): 17.057, 5.007, 2.498, 1.439
    • τi(s): 0.5460, 0.0829, 0.0089, 0.0023