1 3

5SHX2645L0006 3BHB012961R0002 | АББ| Модуль ИГКТ
SKU: 5SHX2645L0006 3BHB012961R0002

  • Manufacturer: ABB

  • Product No.: 5SHX2645L0006 3BHB012961R0002

  • Condition：В наличии

  • Product Type: Модуль ИГКТ

  • Product Origin: Switzerland

  • Payment:T/T, Western Union

  • Weight: 2000g

  • Shipping port: Xiamen

  • Warranty: 12 months

Описание

ABB 5SHX 2645L0006 — это обратный проводящий интегрированный тиристор с управляемыми затворами (IGCT), предназначенный для высокомощных переключающих приложений. Оптимизированный для работы на средних частотах, он широко используется в промышленных и возобновляемых энергетических системах, включая системы среднего напряжения (MVD), тяговые системы, преобразование ветровой энергии, FACTS, твердотельные выключатели (SSB), улучшение качества электроэнергии и индукционное нагревание.

Функции

  • Высокий рейтинг отключения без дросселя
  • Оптимизировано для средней частоты
  • Высокая электромагнитная устойчивость
  • Простой интерфейс управления с обратной связью о состоянии
  • Совместимо с переменным или постоянным напряжением питания
  • Вариант последовательного соединения (свяжитесь с заводом для получения деталей)

Технические характеристики

  • Номер части: 5SHX2645L0006 | 3BHB012961R0002
  • Производитель: АББ
  • Тип продукта: Обратный проводящий модуль IGCT
  • Номинальный ток (ITGQM): 2200 A
  • Максимальное блокирующее напряжение (VDRM): 4500 В
  • Макс. Пиковый Нерепетитивный Импульсный Ток (ITSM): 17 кА
  • Пороговое напряжение (VT0): 1.8 В
  • Напряжение в состоянии включения (VT): 2.3 до 2.95 В при IT = 2200 A, Tj = 125 °C
  • Сопротивление наклона (rT): 0.533 мΩ
  • Постоянное напряжение DC (VDC): 2800 В
  • Повторяющийся пиковый ток в выключенном состоянии (IDRM): ≤ 50 мА (VD = VDRM, блок управления затвором под напряжением)
  • Сила крепления (FM): 42 до 46 кН
  • Диаметр полюса (Dp): 85 мм ± 0.1 мм
  • Толщина корпуса (H): 25.7 до 26.2 мм (зажатый Fm = 44 кН)
  • Вес (м): 2.9 кг
  • Расстояние по поверхности (DS): 33 мм (Анод к Воротам)
  • Расстояние удара (Da): 10 мм (Анод к затвору)
  • Длина (l): 439 мм ± 1,0 мм
  • Высота (h): 41 мм ± 1,0 мм
  • Ширина (w): 173 мм ± 1,0 мм
  • Средний прямой ток (IT(AV)M): 1010 A (Полусинусоидальная волна, Tc = 85 °C)
  • Сила тока в состоянии включения RMS (IT(RMS)): 1590 A
  • Пиковый неповторяющийся импульсный ток (ITSM):
    • 25 кА (tp = 3 мс, Tj = 125 °C, синусоидальная полуволна)
    • 17 кА (tp = 10 мс, Tj = 125 °C, синусоидальная полуволна)
    • 13 кА (tp = 30 мс, Tj = 125 °C, синусоидальная полуволна)
  • Интеграл ограничивающей нагрузки (I²t):
    • 938·10³ A²s (tp = 3 мс)
    • 1,45·10⁶ A²s (tp = 10 мс)
    • 2,55·10⁶ A²s (tp = 30 мс)
  • Критическая скорость нарастания тока в включенном состоянии (diT/dt(cr)): 100 A/µs
  • Время задержки включения (td(on)): 3.5 мкс (Tj = 125 °C, VD = 2800 V, IT = 2200 A, di/dt = VD / Li, Li = 5 мкГн, CCL = 10 мкФ, LCL = 300 нГн, DCL = 5SDF 10H4503)
  • Статус обратной связи времени задержки включения (td(on) SF): 7 мкс
  • Время подъема (tr): 1 мкс
  • Энергия включения на импульс (Eon): 0.85 Дж
  • Управляемый ток отключения (ITGQM1): 2200 A (VDM ≤ VDRM, Tj = 125 °C, Rs = 0.65 Ω, CCL = 10 µF, LCL ≤ 300 nH, DCL = 5SDF 10H4503, VD = 2800 V)
  • Управляемый ток отключения (ITGQM2): 1100 А (VD = 3200 В)
  • Время задержки выключения (td(off)): 7 мкс (VD = 2800 В, Tj = 125 °C, VDM ≤ VDRM, Rs = 0.65 Ω, ITGQ = 2200 A, Li = 5 мкГн, CCL = 10 мкФ, LCL = 300 нГн, DCL = 5SDF 10H4503)
  • Статус обратной связи времени задержки отключения (td(off) SF): 7 мкс
  • Энергия отключения на импульс (Eoff): 7.8 до 12 Дж
  • Средний прямой ток диода (IF(AV)M): 390 A (Полусинусоида, TC = 85 °C)
  • Сила тока в прямом направлении диода RMS (IF(RMS)): 620 A
  • Пиковый неповторяющийся импульсный ток диода (IFSM):
    • 14,3 кА (tp = 3 мс, Tj = 125 °C)
    • 10,6 кА (tp = 10 мс, Tj = 125 °C)
  • Интеграл ограничивающей нагрузки диода (I²t):
    • 307·10³ A²s (tp = 3 мс)
    • 562·10³ A²s (tp = 10 мс)
  • Напряжение в состоянии включения диода (VF): 3.54 до 5.4 В при IF = 1800 A, Tj = 125 °C
  • Напряжение порога диода (V(F0)): 2.7 В (Tj = 125 °C, IT = 400 A - 3000 A)
  • Сопротивление наклона диода (rF): 1.24 мΩ
  • Пиковое напряжение восстановления впереди (VFRM):
    • 80 В (dIF/dt = 650 А/мкс, Tj = 125 °C)
    • 250 В (dIF/dt = 3000 A/µs, Tj = 125 °C)
  • Скорость распада тока в состоянии включения (di/dt(cr)):
    • 650 A/µs (IFM = 2200 A, Tj = 125 °C, VDClink = 2800 V)
    • 650 A/µs (IFM = 3200 A, Tj = 125 °C, VDClink = 1900 V)
  • Ток обратного восстановления (IRM): 900 A (Tj = 125 °C, IFM = 2200 A, VD = 2800 V, -dIF/dt = 650 A/µs, LCL = 300 nH, CCL = 10 µF, Rs = 0.65 Ω, DCL = 5SDF 10H4503)
  • Заряд обратного восстановления (Qrr): 2800 мкКл
  • Энергия отключения (Erec): 2.7 до 4 Дж
  • Напряжение на входе затвора (VGin): 28 до 40 В (амплитуда AC квадратной волны или постоянное напряжение, 15 кГц - 100 кГц)
  • Мин. Ток для включения блока управления (IGin Min): 2 А (выпрямленный средний ток)
  • Потребление энергии блока управления (PGin Max): 130 Вт
  • Внутреннее ограничение тока (IGin Max): 8 A (выпрямленный средний ток, ограниченный блоком управления)
  • Оптическая входная мощность (Pon CS): -15 до -1 дБм (CS: Командный сигнал, действителен для 1 мм пластикового оптического волокна (POF))
  • Оптическая мощность шума (Poff CS): -45 дБм
  • Оптическая выходная мощность (Pon SF): -19 до -1 дБм (SF: Обратная связь о состоянии)
  • Оптическая мощность шума (Poff SF): -50 дБм
  • Порог ширины импульса (tGLITCH): 400 нс (макс. ширина импульса без ответа)
  • Ширина импульса повторного срабатывания внешнего сигнала (tretrig): 700 до 1100 нс
  • Температура работы соединения (Tvj): 0 до 125 °C
  • Диапазон температур хранения (Tstg): 0 до 60 °C
  • Температура окружающей среды (Ta): 0 до 50 °C
  • Переходное тепловое сопротивление (Z(t)) для GCT:
    • Ri(K/kW): 8.769, 1.909, 1.218, 0.699
    • τi(s): 0.5407, 0.0792, 0.0091, 0.0025
  • Переходное тепловое сопротивление (Z(t)) для диода:
    • Ri(K/kW): 17.057, 5.007, 2.498, 1.439
    • τi(s): 0.5460, 0.0829, 0.0089, 0.0023
Информация о заказе и гарантии

Условия покупки и возврата

Подробные инструкции по минимальному количеству заказа, срокам доставки, способам оплаты, гарантии и политике возврата.

Проверьте сейчас

Мы с радостью принимаем оптовые заказы с минимальным объемом заказа всего одна единица.

По запросу мы можем предоставить все необходимые документы, включая сертификаты происхождения/соответствия и другие необходимые экспортные документы.

Мы принимаем 100% оплату T/T (телеграфным переводом) перед отправкой. Для товаров со сроками поставки требуется предоплата в размере 30%, а оставшиеся 70% оплачиваются перед отправкой. Для перевода в юанях свяжитесь с нами, если у вас есть агент в Китае.

На все новые и оригинальные товары распространяется стандартная годовая гарантия. Для получения расширенной гарантии свяжитесь с нами для уточнения цен.

Мы уделяем приоритетное внимание вашему удовлетворению. Если вам необходимо вернуть товар, это необходимо сделать в течение 30 дней с момента покупки. Продукт должен быть неиспользованным, неоткрытым и находиться в оригинальной упаковке, включая все аксессуары. Возврат средств будет осуществлен в течение 5-7 рабочих дней с момента получения возврата. Обратите внимание, что расходы на доставку и обработку не подлежат возврату.
Проверьте сейчас

Сравнение продуктов

5SHX2645L0006 3BHB012961R0002 | АББ| Модуль ИГКТ
5SHX2645L0006 3BHB012961R0002 | АББ| Модуль ИГКТ
5SHX2645L0006 3BHB012961R0002 | АББ| Модуль ИГКТ
Текущий продукт Текущий
ABB

5SHX2645L0006 3BHB012961R0002 | АББ| Модуль ИГКТ

Параметры
В наличии
Описания

Описание

ABB 5SHX 2645L0006 — это обратный проводящий интегрированный тиристор с управляемыми затворами (IGCT), предназначенный для высокомощных переключающих приложений. Оптимизированный для работы на средних частотах, он широко используется в промышленных и возобновляемых энергетических системах, включая системы среднего напряжения (MVD), тяговые системы, преобразование ветровой энергии, FACTS, твердотельные выключатели (SSB), улучшение качества электроэнергии и индукционное нагревание.

Функции

  • Высокий рейтинг отключения без дросселя
  • Оптимизировано для средней частоты
  • Высокая электромагнитная устойчивость
  • Простой интерфейс управления с обратной связью о состоянии
  • Совместимо с переменным или постоянным напряжением питания
  • Вариант последовательного соединения (свяжитесь с заводом для получения деталей)

Технические характеристики

  • Номер части: 5SHX2645L0006 | 3BHB012961R0002
  • Производитель: АББ
  • Тип продукта: Обратный проводящий модуль IGCT
  • Номинальный ток (ITGQM): 2200 A
  • Максимальное блокирующее напряжение (VDRM): 4500 В
  • Макс. Пиковый Нерепетитивный Импульсный Ток (ITSM): 17 кА
  • Пороговое напряжение (VT0): 1.8 В
  • Напряжение в состоянии включения (VT): 2.3 до 2.95 В при IT = 2200 A, Tj = 125 °C
  • Сопротивление наклона (rT): 0.533 мΩ
  • Постоянное напряжение DC (VDC): 2800 В
  • Повторяющийся пиковый ток в выключенном состоянии (IDRM): ≤ 50 мА (VD = VDRM, блок управления затвором под напряжением)
  • Сила крепления (FM): 42 до 46 кН
  • Диаметр полюса (Dp): 85 мм ± 0.1 мм
  • Толщина корпуса (H): 25.7 до 26.2 мм (зажатый Fm = 44 кН)
  • Вес (м): 2.9 кг
  • Расстояние по поверхности (DS): 33 мм (Анод к Воротам)
  • Расстояние удара (Da): 10 мм (Анод к затвору)
  • Длина (l): 439 мм ± 1,0 мм
  • Высота (h): 41 мм ± 1,0 мм
  • Ширина (w): 173 мм ± 1,0 мм
  • Средний прямой ток (IT(AV)M): 1010 A (Полусинусоидальная волна, Tc = 85 °C)
  • Сила тока в состоянии включения RMS (IT(RMS)): 1590 A
  • Пиковый неповторяющийся импульсный ток (ITSM):
    • 25 кА (tp = 3 мс, Tj = 125 °C, синусоидальная полуволна)
    • 17 кА (tp = 10 мс, Tj = 125 °C, синусоидальная полуволна)
    • 13 кА (tp = 30 мс, Tj = 125 °C, синусоидальная полуволна)
  • Интеграл ограничивающей нагрузки (I²t):
    • 938·10³ A²s (tp = 3 мс)
    • 1,45·10⁶ A²s (tp = 10 мс)
    • 2,55·10⁶ A²s (tp = 30 мс)
  • Критическая скорость нарастания тока в включенном состоянии (diT/dt(cr)): 100 A/µs
  • Время задержки включения (td(on)): 3.5 мкс (Tj = 125 °C, VD = 2800 V, IT = 2200 A, di/dt = VD / Li, Li = 5 мкГн, CCL = 10 мкФ, LCL = 300 нГн, DCL = 5SDF 10H4503)
  • Статус обратной связи времени задержки включения (td(on) SF): 7 мкс
  • Время подъема (tr): 1 мкс
  • Энергия включения на импульс (Eon): 0.85 Дж
  • Управляемый ток отключения (ITGQM1): 2200 A (VDM ≤ VDRM, Tj = 125 °C, Rs = 0.65 Ω, CCL = 10 µF, LCL ≤ 300 nH, DCL = 5SDF 10H4503, VD = 2800 V)
  • Управляемый ток отключения (ITGQM2): 1100 А (VD = 3200 В)
  • Время задержки выключения (td(off)): 7 мкс (VD = 2800 В, Tj = 125 °C, VDM ≤ VDRM, Rs = 0.65 Ω, ITGQ = 2200 A, Li = 5 мкГн, CCL = 10 мкФ, LCL = 300 нГн, DCL = 5SDF 10H4503)
  • Статус обратной связи времени задержки отключения (td(off) SF): 7 мкс
  • Энергия отключения на импульс (Eoff): 7.8 до 12 Дж
  • Средний прямой ток диода (IF(AV)M): 390 A (Полусинусоида, TC = 85 °C)
  • Сила тока в прямом направлении диода RMS (IF(RMS)): 620 A
  • Пиковый неповторяющийся импульсный ток диода (IFSM):
    • 14,3 кА (tp = 3 мс, Tj = 125 °C)
    • 10,6 кА (tp = 10 мс, Tj = 125 °C)
  • Интеграл ограничивающей нагрузки диода (I²t):
    • 307·10³ A²s (tp = 3 мс)
    • 562·10³ A²s (tp = 10 мс)
  • Напряжение в состоянии включения диода (VF): 3.54 до 5.4 В при IF = 1800 A, Tj = 125 °C
  • Напряжение порога диода (V(F0)): 2.7 В (Tj = 125 °C, IT = 400 A - 3000 A)
  • Сопротивление наклона диода (rF): 1.24 мΩ
  • Пиковое напряжение восстановления впереди (VFRM):
    • 80 В (dIF/dt = 650 А/мкс, Tj = 125 °C)
    • 250 В (dIF/dt = 3000 A/µs, Tj = 125 °C)
  • Скорость распада тока в состоянии включения (di/dt(cr)):
    • 650 A/µs (IFM = 2200 A, Tj = 125 °C, VDClink = 2800 V)
    • 650 A/µs (IFM = 3200 A, Tj = 125 °C, VDClink = 1900 V)
  • Ток обратного восстановления (IRM): 900 A (Tj = 125 °C, IFM = 2200 A, VD = 2800 V, -dIF/dt = 650 A/µs, LCL = 300 nH, CCL = 10 µF, Rs = 0.65 Ω, DCL = 5SDF 10H4503)
  • Заряд обратного восстановления (Qrr): 2800 мкКл
  • Энергия отключения (Erec): 2.7 до 4 Дж
  • Напряжение на входе затвора (VGin): 28 до 40 В (амплитуда AC квадратной волны или постоянное напряжение, 15 кГц - 100 кГц)
  • Мин. Ток для включения блока управления (IGin Min): 2 А (выпрямленный средний ток)
  • Потребление энергии блока управления (PGin Max): 130 Вт
  • Внутреннее ограничение тока (IGin Max): 8 A (выпрямленный средний ток, ограниченный блоком управления)
  • Оптическая входная мощность (Pon CS): -15 до -1 дБм (CS: Командный сигнал, действителен для 1 мм пластикового оптического волокна (POF))
  • Оптическая мощность шума (Poff CS): -45 дБм
  • Оптическая выходная мощность (Pon SF): -19 до -1 дБм (SF: Обратная связь о состоянии)
  • Оптическая мощность шума (Poff SF): -50 дБм
  • Порог ширины импульса (tGLITCH): 400 нс (макс. ширина импульса без ответа)
  • Ширина импульса повторного срабатывания внешнего сигнала (tretrig): 700 до 1100 нс
  • Температура работы соединения (Tvj): 0 до 125 °C
  • Диапазон температур хранения (Tstg): 0 до 60 °C
  • Температура окружающей среды (Ta): 0 до 50 °C
  • Переходное тепловое сопротивление (Z(t)) для GCT:
    • Ri(K/kW): 8.769, 1.909, 1.218, 0.699
    • τi(s): 0.5407, 0.0792, 0.0091, 0.0025
  • Переходное тепловое сопротивление (Z(t)) для диода:
    • Ri(K/kW): 17.057, 5.007, 2.498, 1.439
    • τi(s): 0.5460, 0.0829, 0.0089, 0.0023