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5SHX2645L0006 3BHB012961R0002 | ABB| Módulo IGCT
SKU: 5SHX2645L0006 3BHB012961R0002

  • Manufacturer: ABB

  • Product No.: 5SHX2645L0006 3BHB012961R0002

  • Condition：Em estoque

  • Product Type: Módulo IGCT

  • Product Origin: Switzerland

  • Payment:T/T, Western Union

  • Weight: 2000g

  • Shipping port: Xiamen

  • Warranty: 12 months

Descrição

O ABB 5SHX 2645L0006 é um Módulo de Tiristor Comutado por Porta Integrada de Condução Reversa (IGCT) projetado para aplicações de comutação de alta potência. Otimizado para operações de média frequência, é amplamente utilizado em sistemas industriais e de energia renovável, incluindo Acionamentos de Média Tensão (MVD), sistemas de tração, conversão de energia eólica, FACTS, Disjuntores de Estado Sólido (SSB), melhoria da qualidade da energia e aquecimento por indução.

Características

  • Alta classificação de desligamento sem amortecimento
  • Otimizado para média frequência
  • Alta imunidade eletromagnética
  • Interface de Controlo Simples com Feedback de Estado
  • Compatível com tensão de alimentação CA ou CC
  • Opção para Conexão em Série (contactar a fábrica para mais detalhes)

Especificações técnicas

  • Número da peça: 5SHX 2645L0006 | 3BHB012961R0002
  • Fabricante: ABB
  • Tipo de Produto: Módulo IGCT de Condução Reversa
  • Corrente Nominal (ITGQM): 2200 A
  • Tensão de Bloqueio Máxima (VDRM): 4500 V
  • Max. Corrente de Surto Não Repetitiva de Pico (ITSM): 17 kA
  • Tensão de Limiar (VT0): 1.8 V
  • Tensão em Estado Ligado (VT): 2,3 a 2,95 V a IT = 2200 A, Tj = 125 °C
  • Resistência de Inclinação (rT): 0,533 mΩ
  • Tensão DC Permanente (VDC): 2800 V
  • Corrente de Estado Desligado Repetitiva de Pico (IDRM): ≤ 50 mA (VD = VDRM, Unidade de Gate energizada)
  • Força de Montagem (FM): 42 a 46 kN
  • Diâmetro do Polo (Dp): 85 mm ± 0,1 mm
  • Espessura da Habitação (H): 25,7 a 26,2 mm (Fm fixado = 44 kN)
  • Peso (m): 2,9 kg
  • Distância de Creepage na Superfície (DS): 33 mm (Ânodo para Porta)
  • Distância do Ataque Aéreo (Da): 10 mm (Ânodo para Gate)
  • Comprimento (l): 439 mm ± 1,0 mm
  • Altura (h): 41 mm ± 1,0 mm
  • Largura (w): 173 mm ± 1,0 mm
  • Corrente Média em Estado Ligado (IT(AV)M): 1010 A (Meia onda senoidal, Tc = 85 °C)
  • Corrente de Estado On RMS (IT(RMS)): 1590 A
  • Corrente de Pico Não Repetitiva (ITSM):
    • 25 kA (tp = 3 ms, Tj = 125 °C, onda senoidal de meia onda)
    • 17 kA (tp = 10 ms, Tj = 125 °C, onda senoidal de meia onda)
    • 13 kA (tp = 30 ms, Tj = 125 °C, onda senoidal de meia onda)
  • Integral de Carga Limitante (I²t):
    • 938·10³ A²s (tp = 3 ms)
    • 1,45·10⁶ A²s (tp = 10 ms)
    • 2,55·10⁶ A²s (tp = 30 ms)
  • Taxa Crítica de Aumento da Corrente em Estado Ligado (diT/dt(cr)): 100 A/µs
  • Tempo de Atraso de Ligação (td(on)): 3.5 µs (Tj = 125 °C, VD = 2800 V, IT = 2200 A, di/dt = VD / Li, Li = 5 µH, CCL = 10 µF, LCL = 300 nH, DCL = 5SDF 10H4503)
  • Feedback de Estado do Tempo de Atraso de Ligação (td(on) SF): 7 µs
  • Tempo de Subida (tr): 1 µs
  • Energia de Ativação por Pulso (Eon): 0.85 J
  • Corrente de Desligamento Controlável (ITGQM1): 2200 A (VDM ≤ VDRM, Tj = 125 °C, Rs = 0.65 Ω, CCL = 10 µF, LCL ≤ 300 nH, DCL = 5SDF 10H4503, VD = 2800 V)
  • Corrente de Desligamento Controlável (ITGQM2): 1100 A (VD = 3200 V)
  • Tempo de Atraso de Desligamento (td(off)): 7 µs (VD = 2800 V, Tj = 125 °C, VDM ≤ VDRM, Rs = 0.65 Ω, ITGQ = 2200 A, Li = 5 µH, CCL = 10 µF, LCL = 300 nH, DCL = 5SDF 10H4503)
  • Feedback de Estado do Tempo de Atraso de Desligamento (td(off) SF): 7 µs
  • Energia de Desligamento por Pulso (Eoff): 7,8 a 12 J
  • Corrente Média de Estado Ligado do Diodo (IF(AV)M): 390 A (Onda senoidal meia, TC = 85 °C)
  • Corrente de Estado On RMS do Diodo (IF(RMS)): 620 A
  • Corrente de Pico de Surto Não Repetitivo do Diodo (IFSM):
    • 14,3 kA (tp = 3 ms, Tj = 125 °C)
    • 10,6 kA (tp = 10 ms, Tj = 125 °C)
  • Integral de carga limitadora de diodo (I²t):
    • 307·10³ A²s (tp = 3 ms)
    • 562·10³ A²s (tp = 10 ms)
  • Tensão de Estado Ativo do Diodo (VF): 3,54 a 5,4 V a IF = 1800 A, Tj = 125 °C
  • Tensão de Limiar do Diodo (V(F0)): 2.7 V (Tj = 125 °C, IT = 400 A - 3000 A)
  • Resistência de Inclinação do Diodo (rF): 1,24 mΩ
  • Tensão de pico de recuperação direta (VFRM):
    • 80 V (dIF/dt = 650 A/µs, Tj = 125 °C)
    • 250 V (dIF/dt = 3000 A/µs, Tj = 125 °C)
  • Taxa de Decaimento da Corrente de Estado Ativo (di/dt(cr)):
    • 650 A/µs (IFM = 2200 A, Tj = 125 °C, VDClink = 2800 V)
    • 650 A/µs (IFM = 3200 A, Tj = 125 °C, VDClink = 1900 V)
  • Corrente de Recuperação Reversa (IRM): 900 A (Tj = 125 °C, IFM = 2200 A, VD = 2800 V, -dIF/dt = 650 A/µs, LCL = 300 nH, CCL = 10 µF, Rs = 0.65 Ω, DCL = 5SDF 10H4503)
  • Custo de Recuperação Reversa (Qrr): 2800 µC
  • Energia de Desligamento (Erec): 2,7 a 4 J
  • Tensão da Unidade de Porta (VGin): 28 a 40 V (amplitude de onda quadrada AC ou tensão DC, 15 kHz - 100 kHz)
  • Min. Corrente para Ligar a Unidade de Portão (IGin Min): 2 A (corrente média retificada)
  • Consumo de Energia da Unidade de Acesso (PGin Max): 130 W
  • Limitação de Corrente Interna (IGin Max): 8 A (corrente média retificada limitada pela Unidade de Gate)
  • Poder de Entrada Óptica (Pon CS): -15 a -1 dBm (CS: Sinal de comando, válido para fibra óptica plástica (POF) de 1mm)
  • Potência de Ruído Óptico (Poff CS): -45 dBm
  • Potência de Saída Óptica (Pon SF): -19 a -1 dBm (SF: Feedback de estado)
  • Potência de Ruído Óptico (Poff SF): -50 dBm
  • Limite de Largura de Pulso (tGLITCH): 400 ns (largura de pulso máxima sem resposta)
  • Amplitude do Pulso de Retrigger Externo (tretrig): 700 a 1100 ns
  • Temperatura de Funcionamento do Junção (Tvj): 0 a 125 °C
  • Intervalo de Temperatura de Armazenamento (Tstg): 0 a 60 °C
  • Temperatura Operacional Ambiente (Ta): 0 a 50 °C
  • Impedância Térmica Transitória (Z(t)) para GCT:
    • Ri(K/kW): 8,769, 1,909, 1,218, 0,699
    • τi(s): 0,5407, 0,0792, 0,0091, 0,0025
  • Impedância Térmica Transitória (Z(t)) para Diodo:
    • Ri(K/kW): 17.057, 5.007, 2.498, 1.439
    • τi(s): 0,5460, 0,0829, 0,0089, 0,0023
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Descrição

O ABB 5SHX 2645L0006 é um Módulo de Tiristor Comutado por Porta Integrada de Condução Reversa (IGCT) projetado para aplicações de comutação de alta potência. Otimizado para operações de média frequência, é amplamente utilizado em sistemas industriais e de energia renovável, incluindo Acionamentos de Média Tensão (MVD), sistemas de tração, conversão de energia eólica, FACTS, Disjuntores de Estado Sólido (SSB), melhoria da qualidade da energia e aquecimento por indução.

Características

  • Alta classificação de desligamento sem amortecimento
  • Otimizado para média frequência
  • Alta imunidade eletromagnética
  • Interface de Controlo Simples com Feedback de Estado
  • Compatível com tensão de alimentação CA ou CC
  • Opção para Conexão em Série (contactar a fábrica para mais detalhes)

Especificações técnicas

  • Número da peça: 5SHX 2645L0006 | 3BHB012961R0002
  • Fabricante: ABB
  • Tipo de Produto: Módulo IGCT de Condução Reversa
  • Corrente Nominal (ITGQM): 2200 A
  • Tensão de Bloqueio Máxima (VDRM): 4500 V
  • Max. Corrente de Surto Não Repetitiva de Pico (ITSM): 17 kA
  • Tensão de Limiar (VT0): 1.8 V
  • Tensão em Estado Ligado (VT): 2,3 a 2,95 V a IT = 2200 A, Tj = 125 °C
  • Resistência de Inclinação (rT): 0,533 mΩ
  • Tensão DC Permanente (VDC): 2800 V
  • Corrente de Estado Desligado Repetitiva de Pico (IDRM): ≤ 50 mA (VD = VDRM, Unidade de Gate energizada)
  • Força de Montagem (FM): 42 a 46 kN
  • Diâmetro do Polo (Dp): 85 mm ± 0,1 mm
  • Espessura da Habitação (H): 25,7 a 26,2 mm (Fm fixado = 44 kN)
  • Peso (m): 2,9 kg
  • Distância de Creepage na Superfície (DS): 33 mm (Ânodo para Porta)
  • Distância do Ataque Aéreo (Da): 10 mm (Ânodo para Gate)
  • Comprimento (l): 439 mm ± 1,0 mm
  • Altura (h): 41 mm ± 1,0 mm
  • Largura (w): 173 mm ± 1,0 mm
  • Corrente Média em Estado Ligado (IT(AV)M): 1010 A (Meia onda senoidal, Tc = 85 °C)
  • Corrente de Estado On RMS (IT(RMS)): 1590 A
  • Corrente de Pico Não Repetitiva (ITSM):
    • 25 kA (tp = 3 ms, Tj = 125 °C, onda senoidal de meia onda)
    • 17 kA (tp = 10 ms, Tj = 125 °C, onda senoidal de meia onda)
    • 13 kA (tp = 30 ms, Tj = 125 °C, onda senoidal de meia onda)
  • Integral de Carga Limitante (I²t):
    • 938·10³ A²s (tp = 3 ms)
    • 1,45·10⁶ A²s (tp = 10 ms)
    • 2,55·10⁶ A²s (tp = 30 ms)
  • Taxa Crítica de Aumento da Corrente em Estado Ligado (diT/dt(cr)): 100 A/µs
  • Tempo de Atraso de Ligação (td(on)): 3.5 µs (Tj = 125 °C, VD = 2800 V, IT = 2200 A, di/dt = VD / Li, Li = 5 µH, CCL = 10 µF, LCL = 300 nH, DCL = 5SDF 10H4503)
  • Feedback de Estado do Tempo de Atraso de Ligação (td(on) SF): 7 µs
  • Tempo de Subida (tr): 1 µs
  • Energia de Ativação por Pulso (Eon): 0.85 J
  • Corrente de Desligamento Controlável (ITGQM1): 2200 A (VDM ≤ VDRM, Tj = 125 °C, Rs = 0.65 Ω, CCL = 10 µF, LCL ≤ 300 nH, DCL = 5SDF 10H4503, VD = 2800 V)
  • Corrente de Desligamento Controlável (ITGQM2): 1100 A (VD = 3200 V)
  • Tempo de Atraso de Desligamento (td(off)): 7 µs (VD = 2800 V, Tj = 125 °C, VDM ≤ VDRM, Rs = 0.65 Ω, ITGQ = 2200 A, Li = 5 µH, CCL = 10 µF, LCL = 300 nH, DCL = 5SDF 10H4503)
  • Feedback de Estado do Tempo de Atraso de Desligamento (td(off) SF): 7 µs
  • Energia de Desligamento por Pulso (Eoff): 7,8 a 12 J
  • Corrente Média de Estado Ligado do Diodo (IF(AV)M): 390 A (Onda senoidal meia, TC = 85 °C)
  • Corrente de Estado On RMS do Diodo (IF(RMS)): 620 A
  • Corrente de Pico de Surto Não Repetitivo do Diodo (IFSM):
    • 14,3 kA (tp = 3 ms, Tj = 125 °C)
    • 10,6 kA (tp = 10 ms, Tj = 125 °C)
  • Integral de carga limitadora de diodo (I²t):
    • 307·10³ A²s (tp = 3 ms)
    • 562·10³ A²s (tp = 10 ms)
  • Tensão de Estado Ativo do Diodo (VF): 3,54 a 5,4 V a IF = 1800 A, Tj = 125 °C
  • Tensão de Limiar do Diodo (V(F0)): 2.7 V (Tj = 125 °C, IT = 400 A - 3000 A)
  • Resistência de Inclinação do Diodo (rF): 1,24 mΩ
  • Tensão de pico de recuperação direta (VFRM):
    • 80 V (dIF/dt = 650 A/µs, Tj = 125 °C)
    • 250 V (dIF/dt = 3000 A/µs, Tj = 125 °C)
  • Taxa de Decaimento da Corrente de Estado Ativo (di/dt(cr)):
    • 650 A/µs (IFM = 2200 A, Tj = 125 °C, VDClink = 2800 V)
    • 650 A/µs (IFM = 3200 A, Tj = 125 °C, VDClink = 1900 V)
  • Corrente de Recuperação Reversa (IRM): 900 A (Tj = 125 °C, IFM = 2200 A, VD = 2800 V, -dIF/dt = 650 A/µs, LCL = 300 nH, CCL = 10 µF, Rs = 0.65 Ω, DCL = 5SDF 10H4503)
  • Custo de Recuperação Reversa (Qrr): 2800 µC
  • Energia de Desligamento (Erec): 2,7 a 4 J
  • Tensão da Unidade de Porta (VGin): 28 a 40 V (amplitude de onda quadrada AC ou tensão DC, 15 kHz - 100 kHz)
  • Min. Corrente para Ligar a Unidade de Portão (IGin Min): 2 A (corrente média retificada)
  • Consumo de Energia da Unidade de Acesso (PGin Max): 130 W
  • Limitação de Corrente Interna (IGin Max): 8 A (corrente média retificada limitada pela Unidade de Gate)
  • Poder de Entrada Óptica (Pon CS): -15 a -1 dBm (CS: Sinal de comando, válido para fibra óptica plástica (POF) de 1mm)
  • Potência de Ruído Óptico (Poff CS): -45 dBm
  • Potência de Saída Óptica (Pon SF): -19 a -1 dBm (SF: Feedback de estado)
  • Potência de Ruído Óptico (Poff SF): -50 dBm
  • Limite de Largura de Pulso (tGLITCH): 400 ns (largura de pulso máxima sem resposta)
  • Amplitude do Pulso de Retrigger Externo (tretrig): 700 a 1100 ns
  • Temperatura de Funcionamento do Junção (Tvj): 0 a 125 °C
  • Intervalo de Temperatura de Armazenamento (Tstg): 0 a 60 °C
  • Temperatura Operacional Ambiente (Ta): 0 a 50 °C
  • Impedância Térmica Transitória (Z(t)) para GCT:
    • Ri(K/kW): 8,769, 1,909, 1,218, 0,699
    • τi(s): 0,5407, 0,0792, 0,0091, 0,0025
  • Impedância Térmica Transitória (Z(t)) para Diodo:
    • Ri(K/kW): 17.057, 5.007, 2.498, 1.439
    • τi(s): 0,5460, 0,0829, 0,0089, 0,0023