ABB | PP D113 3BHE023784R2330 | Module de système de contrôle AC 800PEC
spécification | Détails |
---|---|
Description | Module IGCT d'ABB 5SHY3545L0020 3BHE014105R0001 5SXE08-0166 |
Taper | Module IGCT (thyristor à commutation de grille intégré) |
Application | Applications de commutation haute puissance en électronique de puissance |
Principales caractéristiques technologiques
- Structure GTO : intègre une structure de thyristor similaire à celle du GTO, permettant des capacités de gestion de courant élevé.
- Structure de grille intégrée : permet le contrôle de grille pour l'arrêt, contrairement aux thyristors conventionnels.
- Couche tampon et émetteur transparent d'anode : améliore les performances de commutation et réduit les pertes de désactivation par rapport aux GTO traditionnels.
- Caractéristiques combinées : offre la capacité de courant à l'état passant élevée des thyristors ainsi que la capacité de désactivation contrôlable des transistors, ce qui le rend adapté aux applications de moyenne à haute fréquence et de puissance élevée.
ABB | PP D113 3BHE023784R2330 | Module de système de contrôle AC 800PEC
Produit actuel
Actuel
Fournisseur:
ABB
ABB | PP D113 3BHE023784R2330 | Module de système de contrôle AC 800PEC
Prix régulier
$250.00
Prix de vente
$250.00
Prix régulier
$400.00
Possibilités
Descriptions
spécification | Détails |
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Description | Module IGCT d'ABB 5SHY3545L0020 3BHE014105R0001 5SXE08-0166 |
Taper | Module IGCT (thyristor à commutation de grille intégré) |
Application | Applications de commutation haute puissance en électronique de puissance |
Principales caractéristiques technologiques
- Structure GTO : intègre une structure de thyristor similaire à celle du GTO, permettant des capacités de gestion de courant élevé.
- Structure de grille intégrée : permet le contrôle de grille pour l'arrêt, contrairement aux thyristors conventionnels.
- Couche tampon et émetteur transparent d'anode : améliore les performances de commutation et réduit les pertes de désactivation par rapport aux GTO traditionnels.
- Caractéristiques combinées : offre la capacité de courant à l'état passant élevée des thyristors ainsi que la capacité de désactivation contrôlable des transistors, ce qui le rend adapté aux applications de moyenne à haute fréquence et de puissance élevée.