5SHX 1060H0003 3BHB020538R0001| АББ| Модуль ИГКТ
Описание
ABB 5SHX 1060H0003 является модулем тиристора с интегрированным управлением обратного проводимости (IGCT) , разработанным для приложений с высоким уровнем мощности. Этот современный силовой полупроводник оптимизирован для работы на средних и высоких частотах и широко используется в промышленных и возобновляемых энергетических системах, включая средневольтные приводы (MVD), тяговые системы, преобразование ветровой энергии, FACTS, твердотельные выключатели (SSB), улучшение качества электроэнергии и индукционное нагревание.
Функции
- Высокий рейтинг отключения без дросселя: Устраняет необходимость в внешних дроссельных цепях.
- Быстрый отклик: Задержка включения <3 мкс, задержка выключения < 6 мкс.
- Точное время: Вариация задержки отключения <800 нс.
- Запатентованная технология свободно плавающего кремния: Оптимизирует производительность и надежность.
- Низкие потери в состоянии включения и переключения: Увеличивает эффективность.
- Очень высокая устойчивость к ЭМИ: Обеспечивает надежную работу в шумных условиях.
- Рейтинг стойкости к космическому излучению: Подходит для суровых условий.
Технические характеристики
- Номер части: 5SHX 1060H0003 3BHB020538R0001
- Производитель: АББ
- Тип продукта: Обратный проводящий модуль IGCT
- Номинальный ток (ITGQM): 900 А
- Максимальное блокирующее напряжение (VDRM): 5500 В
- Максимальный пик нерепетитивного импульсного тока (ITSM): 7.5 кА (tp = 10 мс)
- Пороговое напряжение (VT0): 1.65 В
- Напряжение в состоянии включения (VT): ≤ 3.45 В при IT = 900 А
- Сопротивление наклона (rT): 2 мΩ
- Постоянное напряжение DC (VDClink): 3300 В
- Время задержки включения (tdon): ≤ 3 мкс
- Время задержки отключения (tdoff): ≤ 6 мкс
- Энергия включения на импульс (Eon): ≤ 0.5 Дж
- Энергия отключения на импульс (Eoff): ≤ 4.8 Дж
- Макс. скорость нарастания тока в состоянии включения (di/dtcrit): 340 A/µs
- Мин. Вовремя (тон(min)): 10 мкс
- Мин. время отключения (toff(min)): 10 мкс
- Макс. средний ток в состоянии включения (ITAVM): 355 A
- Макс. RMS Текущий Состояние (ITRMS): 555 A
- Макс. управляемый ток отключения (ITGQM2): 460 А (VD = 3900 В, LCL ≤ 0.6 мкГн)
- Макс. средний прямой диодный ток (IFAVM): 165 А
- Макс. RMS Ток диода в состоянии включения (IFRMS): 260 A
- Макс. Пиковый Неповторяющийся Импульс Тока Диода (IFSM): 17.5 кА (tp = 1 мс)
- Напряжение в состоянии включения диода (VF): ≤ 6.4 В при IF = 900 А
- Напряжение порога диода (VF0): 2.53 В
- Сопротивление наклона диода (rF): 4.3 мΩ
- Ток обратного восстановления (Irr): ≤ 430 A
- Энергия выключения диода (Err): ≤ 2.6 Дж
- Напряжение на затворе (VGDC): 20 ± 0.5 VDC
- Потребление энергии блока управления (PGin): ≤ 26 Вт
- Оптическая входная мощность (Pon CS): > -20 дБм
- Оптическая мощность шума (Poff CS): <-45 дБм
- Диапазон рабочих температур соединения (Tjop): 0…115 °C
- Диапазон температур хранения (Tstg): -40…60 °C
- Диапазон рабочей температуры окружающей среды (Tamb): 0…60 °C
- Тепловое сопротивление от соединения до корпуса (RthJC): ≤ 25 K/kW (двустороннее охлаждение)
- Тепловое сопротивление корпуса к радиатору (RthCH): ≤ 8 K/кВт (двустороннее охлаждение)
- Сила крепления (Fm): 18…22 кН
- Диаметр полюса (Dp): 63 мм ± 0.1 мм
- Толщина корпуса (H): 26 мм ± 0.5 мм
- Расстояние пробоя по поверхности (Ds): ≥ 33 мм
- Дистанция воздушного удара (Da): ≥ 13 мм
- Длина (l): 239 мм +0/-0.5 мм
- Высота (h): 62,5 мм ± 1,0 мм
- Ширина (w): 200 мм +0/-0.5 мм
- Вес (м): 1.7 кг
5SHX 1060H0003 3BHB020538R0001| АББ| Модуль ИГКТ



5SHX 1060H0003 3BHB020538R0001| АББ| Модуль ИГКТ
Описание
ABB 5SHX 1060H0003 является модулем тиристора с интегрированным управлением обратного проводимости (IGCT) , разработанным для приложений с высоким уровнем мощности. Этот современный силовой полупроводник оптимизирован для работы на средних и высоких частотах и широко используется в промышленных и возобновляемых энергетических системах, включая средневольтные приводы (MVD), тяговые системы, преобразование ветровой энергии, FACTS, твердотельные выключатели (SSB), улучшение качества электроэнергии и индукционное нагревание.
Функции
- Высокий рейтинг отключения без дросселя: Устраняет необходимость в внешних дроссельных цепях.
- Быстрый отклик: Задержка включения <3 мкс, задержка выключения < 6 мкс.
- Точное время: Вариация задержки отключения <800 нс.
- Запатентованная технология свободно плавающего кремния: Оптимизирует производительность и надежность.
- Низкие потери в состоянии включения и переключения: Увеличивает эффективность.
- Очень высокая устойчивость к ЭМИ: Обеспечивает надежную работу в шумных условиях.
- Рейтинг стойкости к космическому излучению: Подходит для суровых условий.
Технические характеристики
- Номер части: 5SHX 1060H0003 3BHB020538R0001
- Производитель: АББ
- Тип продукта: Обратный проводящий модуль IGCT
- Номинальный ток (ITGQM): 900 А
- Максимальное блокирующее напряжение (VDRM): 5500 В
- Максимальный пик нерепетитивного импульсного тока (ITSM): 7.5 кА (tp = 10 мс)
- Пороговое напряжение (VT0): 1.65 В
- Напряжение в состоянии включения (VT): ≤ 3.45 В при IT = 900 А
- Сопротивление наклона (rT): 2 мΩ
- Постоянное напряжение DC (VDClink): 3300 В
- Время задержки включения (tdon): ≤ 3 мкс
- Время задержки отключения (tdoff): ≤ 6 мкс
- Энергия включения на импульс (Eon): ≤ 0.5 Дж
- Энергия отключения на импульс (Eoff): ≤ 4.8 Дж
- Макс. скорость нарастания тока в состоянии включения (di/dtcrit): 340 A/µs
- Мин. Вовремя (тон(min)): 10 мкс
- Мин. время отключения (toff(min)): 10 мкс
- Макс. средний ток в состоянии включения (ITAVM): 355 A
- Макс. RMS Текущий Состояние (ITRMS): 555 A
- Макс. управляемый ток отключения (ITGQM2): 460 А (VD = 3900 В, LCL ≤ 0.6 мкГн)
- Макс. средний прямой диодный ток (IFAVM): 165 А
- Макс. RMS Ток диода в состоянии включения (IFRMS): 260 A
- Макс. Пиковый Неповторяющийся Импульс Тока Диода (IFSM): 17.5 кА (tp = 1 мс)
- Напряжение в состоянии включения диода (VF): ≤ 6.4 В при IF = 900 А
- Напряжение порога диода (VF0): 2.53 В
- Сопротивление наклона диода (rF): 4.3 мΩ
- Ток обратного восстановления (Irr): ≤ 430 A
- Энергия выключения диода (Err): ≤ 2.6 Дж
- Напряжение на затворе (VGDC): 20 ± 0.5 VDC
- Потребление энергии блока управления (PGin): ≤ 26 Вт
- Оптическая входная мощность (Pon CS): > -20 дБм
- Оптическая мощность шума (Poff CS): <-45 дБм
- Диапазон рабочих температур соединения (Tjop): 0…115 °C
- Диапазон температур хранения (Tstg): -40…60 °C
- Диапазон рабочей температуры окружающей среды (Tamb): 0…60 °C
- Тепловое сопротивление от соединения до корпуса (RthJC): ≤ 25 K/kW (двустороннее охлаждение)
- Тепловое сопротивление корпуса к радиатору (RthCH): ≤ 8 K/кВт (двустороннее охлаждение)
- Сила крепления (Fm): 18…22 кН
- Диаметр полюса (Dp): 63 мм ± 0.1 мм
- Толщина корпуса (H): 26 мм ± 0.5 мм
- Расстояние пробоя по поверхности (Ds): ≥ 33 мм
- Дистанция воздушного удара (Da): ≥ 13 мм
- Длина (l): 239 мм +0/-0.5 мм
- Высота (h): 62,5 мм ± 1,0 мм
- Ширина (w): 200 мм +0/-0.5 мм
- Вес (м): 1.7 кг