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ABB | PP D113 3BHE023784R2330 | Módulo do sistema de controle AC 800PEC
SKU: 5SHY3545L0020

  • Manufacturer: ABB

  • Product No.: 5SHY3545L0020

  • Condition：Em estoque

  • Product Type: Módulo IGBT/IGCT

  • Product Origin: Switzerland

  • Payment:T/T, Western Union

  • Weight: 780g

  • Shipping port: Xiamen

  • Warranty: 12 months

Especificação Detalhes
Descrição Módulo ABB 5SHY3545L0020 3BHE014105R0001 5SXE08-0166 IGCT
Tipo Módulo IGCT (Tiristor Comutado por Porta Integrado)
Aplicativo Aplicações de comutação de alta potência em eletrônica de potência

Principais características tecnológicas

  • Estrutura GTO: Incorpora uma estrutura de tiristor semelhante ao GTO, permitindo capacidades de manipulação de altas correntes.
  • Estrutura de Gate Integrada: Permite controle de gate para desligamento, diferentemente dos tiristores convencionais.
  • Camada de buffer e emissor transparente de ânodo: melhora o desempenho de comutação e reduz perdas de desligamento em comparação com GTOs tradicionais.
  • Características combinadas: Oferece alta capacidade de corrente no estado dos tiristores junto com a capacidade de desligamento controlável dos transistores, tornando-o adequado para aplicações de média a alta frequência e alta potência.
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Descrição Módulo ABB 5SHY3545L0020 3BHE014105R0001 5SXE08-0166 IGCT
Tipo Módulo IGCT (Tiristor Comutado por Porta Integrado)
Aplicativo Aplicações de comutação de alta potência em eletrônica de potência

Principais características tecnológicas

  • Estrutura GTO: Incorpora uma estrutura de tiristor semelhante ao GTO, permitindo capacidades de manipulação de altas correntes.
  • Estrutura de Gate Integrada: Permite controle de gate para desligamento, diferentemente dos tiristores convencionais.
  • Camada de buffer e emissor transparente de ânodo: melhora o desempenho de comutação e reduz perdas de desligamento em comparação com GTOs tradicionais.
  • Características combinadas: Oferece alta capacidade de corrente no estado dos tiristores junto com a capacidade de desligamento controlável dos transistores, tornando-o adequado para aplicações de média a alta frequência e alta potência.