5SHX 1060H0003 3BHB020538R0001| ABB| Módulo IGCT

Descrição

O ABB 5SHX 1060H0003 é um Módulo de Tiristor Comutado por Porta Integrada Reversa (IGCT) projetado para aplicações de comutação de alta potência. Este avançado semicondutor de potência é otimizado para operações de média a alta frequência e é amplamente utilizado em sistemas industriais e de energia renovável, incluindo Drives de Média Tensão (MVD), sistemas de tração, conversão de energia eólica, FACTS, Disjuntores de Estado Sólido (SSB), melhoria da qualidade da energia e aquecimento por indução.

Características

• Avaliação de Desligamento Sem Snubber Elevada: Elimina a necessidade de circuitos snubber externos.
• Resposta Rápida: Atraso de ativação <3 µs, atraso de desativação < 6 µs.
• Tempos Precisos: Variação do atraso de desligamento <800 ns.
• Tecnologia de Silício Flutuante Patenteada: Optimiza o desempenho e a fiabilidade.
• Baixas Perdas de Estado Ativo e de Comutação: Melhora a eficiência.
• Imunidade EMI Muito Alta: Garante operação fiável em ambientes ruidosos.
• Classificação de Resistência à Radiação Cósmica: Adequado para condições adversas.

Especificações técnicas

• Número da peça: 5SHX 1060H0003 3BHB020538R0001
• Fabricante: ABB
• Tipo de Produto: Módulo IGCT de Condução Reversa
• Corrente Nominal (ITGQM): 900 A
• Tensão de Bloqueio Máxima (VDRM): 5500 V
• Max. Corrente de Surto Não Repetitiva de Pico (ITSM): 7.5 kA (tp = 10 ms)
• Tensão de Limiar (VT0): 1,65 V
• Tensão em Estado Ligado (VT): ≤ 3,45 V a IT = 900 A
• Resistência de Inclinação (rT): 2 mΩ
• Tensão DC Permanente (VDClink): 3300 V
• Tempo de Atraso de Ligação (tdon): ≤ 3 µs
• Tempo de Atraso de Desligamento (tdoff): ≤ 6 µs
• Energia de Ativação por Pulso (Eon): ≤ 0.5 J
• Energia de Desligamento por Pulso (Eoff): ≤ 4.8 J
• Taxa Máxima de Aumento da Corrente em Estado Ligado (di/dtcrit): 340 A/µs
• Min. A Tempo (ton(min)): 10 µs
• Min. Tempo de Desligamento (toff(min)): 10 µs
• Max. Corrente Média em Estado Ligado (ITAVM): 355 A
• Max. Corrente de Estado On RMS (ITRMS): 555 A
• Max. Corrente de Desligamento Controlável (ITGQM2): 460 A (VD = 3900 V, LCL ≤ 0.6 µH)
• Máx. Corrente Média de Estado Ativo do Diodo (IFAVM): 165 A
• Max. Corrente Diode em Estado On RMS (IFRMS): 260 A
• Max. Corrente de Diodo de Surto Não Repetitivo (IFSM): 17,5 kA (tp = 1 ms)
• Tensão de Estado Ativo do Diodo (VF): ≤ 6,4 V a IF = 900 A
• Tensão de Limiar do Diodo (VF0): 2,53 V
• Resistência de Inclinação do Diodo (rF): 4.3 mΩ
• Corrente de Recuperação Reversa (Irr): ≤ 430 A
• Energia de Desligamento do Diodo (Err): ≤ 2.6 J
• Tensão da Unidade de Porta (VGDC): 20 ± 0,5 VDC
• Consumo de Energia da Unidade de Portão (PGin): ≤ 26 W
• Poder de Entrada Óptica (Pon CS): > -20 dBm
• Potência de Ruído Óptico (Poff CS): <-45 dBm
• Intervalo de Temperatura de Operação do Junção (Tjop): 0…115 °C
• Intervalo de Temperatura de Armazenamento (Tstg): -40…60 °C
• Faixa de Temperatura Operacional Ambiente (Tamb): 0…60 °C
• Resistência Térmica Junção a Caixa (RthJC): ≤ 25 K/kW (refri­gerado dos dois lados)
• Resistência Térmica do Caso para o Dissipador de Calor (RthCH): ≤ 8 K/kW (refri­gerado por ambos os lados)
• Força de Montagem (Fm): 18…22 kN
• Diâmetro do Polo (Dp): 63 mm ± 0,1 mm
• Espessura da Habitação (H): 26 mm ± 0,5 mm
• Distância de Creepage na Superfície (Ds): ≥ 33 mm
• Distância do Ataque Aéreo (Da): ≥ 13 mm
• Comprimento (l): 239 mm +0/-0,5 mm
• Altura (h): 62,5 mm ± 1,0 mm
• Largura (w): 200 mm +0/-0,5 mm
• Peso (m): 1,7 kg