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5SHX2645L0006 3BHB012961R0002 | ABB| Module IGCT
SKU: 5SHX2645L0006 3BHB012961R0002

  • Manufacturer: ABB

  • Product No.: 5SHX2645L0006 3BHB012961R0002

  • Condition：En stock

  • Product Type: Module IGCT

  • Product Origin: Switzerland

  • Payment:T/T, Western Union

  • Weight: 2000g

  • Shipping port: Xiamen

  • Warranty: 12 months

Description

Le ABB 5SHX 2645L0006 est un module de thyristor à porte commutée intégré à conduction inverse (IGCT) conçu pour des applications de commutation haute puissance. Optimisé pour des opérations à fréquence moyenne, il est largement utilisé dans les systèmes industriels et d'énergie renouvelable, y compris les Variateurs de Tension Moyenne (MVD), les systèmes de traction, la conversion d'énergie éolienne, les FACTS, les Disjoncteurs à État Solide (SSB), l'amélioration de la qualité de l'énergie et le chauffage par induction.

Caractéristiques

  • Taux de coupure sans amortisseur élevé
  • Optimisé pour les moyennes fréquences
  • Haute immunité électromagnétique
  • Interface de Contrôle Simple avec Retour d'État
  • Compatible avec la tension d'alimentation AC ou DC
  • Option de connexion en série (contacter l'usine pour plus de détails)

Spécifications techniques

  • Numéro d'article: 5SHX 2645L0006 | 3BHB012961R0002
  • Fabricant: ABB
  • Type de produit: Module IGCT à conduction inverse
  • Courant Nominal (ITGQM) : 2200 A
  • Tension de blocage maximale (VDRM) : 4500 V
  • Courant de surtension non répétitif maximal (ITSM) : 17 kA
  • Tension de seuil (VT0) : 1,8 V
  • Tension d'état passant (VT) : 2,3 à 2,95 V à IT = 2200 A, Tj = 125 °C
  • Résistance de pente (rT) : 0,533 mΩ
  • Tension DC permanente (VDC) : 2800 V
  • Courant d'état hors pic répétitif (IDRM) : ≤ 50 mA (VD = VDRM, Unité de commande activée)
  • Force de montage (FM) : 42 à 46 kN
  • Diamètre du pôle (Dp) : 85 mm ± 0,1 mm
  • Épaisseur du logement (H) : 25,7 à 26,2 mm (Fm serré = 44 kN)
  • Poids (m) : 2,9 kg
  • Distance de Creepage de Surface (DS) : 33 mm (Anode à la Grille)
  • Distance de frappe aérienne (Da) : 10 mm (Anode à la porte)
  • Longueur (l) : 439 mm ± 1,0 mm
  • Hauteur (h) : 41 mm ± 1,0 mm
  • Largeur (l) : 173 mm ± 1,0 mm
  • Courant moyen en état passant (IT(AV)M) : 1010 A (Demi-onde sinusoïdale, Tc = 85 °C)
  • Courant de conduction RMS (IT(RMS)) : 1590 A
  • Courant de surtension non répétitif de crête (ITSM) :
    • 25 kA (tp = 3 ms, Tj = 125 °C, onde sinusoïdale demi-onde)
    • 17 kA (tp = 10 ms, Tj = 125 °C, onde sinusoïdale demi-onde)
    • 13 kA (tp = 30 ms, Tj = 125 °C, onde sinusoïdale demi-onde)
  • Intégrale de charge limite (I²t) :
    • 938·10³ A²s (tp = 3 ms)
    • 1,45·10⁶ A²s (tp = 10 ms)
    • 2,55·10⁶ A²s (tp = 30 ms)
  • Taux critique d'augmentation du courant en état actif (diT/dt(cr)) : 100 A/µs
  • Délai d'activation (td(on)) : 3,5 µs (Tj = 125 °C, VD = 2800 V, IT = 2200 A, di/dt = VD / Li, Li = 5 µH, CCL = 10 µF, LCL = 300 nH, DCL = 5SDF 10H4503)
  • Retour d'état du temps de retard d'activation (td(on) SF) : 7 µs
  • Temps de montée (tr) : 1 µs
  • Énergie d'activation par impulsion (Eon) : 0,85 J
  • Courant de coupure contrôlable (ITGQM1) : 2200 A (VDM ≤ VDRM, Tj = 125 °C, Rs = 0,65 Ω, CCL = 10 µF, LCL ≤ 300 nH, DCL = 5SDF 10H4503, VD = 2800 V)
  • Courant de coupure contrôlable (ITGQM2) : 1100 A (VD = 3200 V)
  • Délai d'arrêt (td(off)) : 7 µs (VD = 2800 V, Tj = 125 °C, VDM ≤ VDRM, Rs = 0,65 Ω, ITGQ = 2200 A, Li = 5 µH, CCL = 10 µF, LCL = 300 nH, DCL = 5SDF 10H4503)
  • Statut de retour d'information du temps de retard de désactivation (td(off) SF) : 7 µs
  • Énergie de coupure par impulsion (Eoff) : 7,8 à 12 J
  • Courant moyen de l'état passant du diode (IF(AV)M) : 390 A (demi-onde sinusoïdale, TC = 85 °C)
  • Courant efficace en état passant du diode (IF(RMS)) : 620 A
  • Courant de surtension non répétitif de pointe de diode (IFSM) :
    • 14,3 kA (tp = 3 ms, Tj = 125 °C)
    • 10,6 kA (tp = 10 ms, Tj = 125 °C)
  • Intégrale de charge de limitation de diode (I²t) :
    • 307·10³ A²s (tp = 3 ms)
    • 562·10³ A²s (tp = 10 ms)
  • Tension de conduction de la diode (VF) : 3,54 à 5,4 V à IF = 1800 A, Tj = 125 °C
  • Tension de seuil de diode (V(F0)) : 2,7 V (Tj = 125 °C, IT = 400 A - 3000 A)
  • Résistance de pente de diode (rF) : 1,24 mΩ
  • Tension de récupération de pointe (VFRM) :
    • 80 V (dIF/dt = 650 A/µs, Tj = 125 °C)
    • 250 V (dIF/dt = 3000 A/µs, Tj = 125 °C)
  • Taux de décomposition du courant d'état actif (di/dt(cr)) :
    • 650 A/µs (IFM = 2200 A, Tj = 125 °C, VDClink = 2800 V)
    • 650 A/µs (IFM = 3200 A, Tj = 125 °C, VDClink = 1900 V)
  • Courant de récupération inverse (IRM) : 900 A (Tj = 125 °C, IFM = 2200 A, VD = 2800 V, -dIF/dt = 650 A/µs, LCL = 300 nH, CCL = 10 µF, Rs = 0,65 Ω, DCL = 5SDF 10H4503)
  • Charge de Récupération Inverse (Qrr) : 2800 µC
  • Énergie de coupure (Erec) : 2,7 à 4 J
  • Tension d'unité de porte (VGin) : 28 à 40 V (amplitude d'onde carrée AC ou tension DC, 15 kHz - 100 kHz)
  • Courant minimum pour alimenter l'unité de porte (IGin Min) : 2 A (courant moyen redressé)
  • Consommation d'énergie de l'unité de porte (PGin Max) : 130 W
  • Limitation de courant interne (IGin Max) : 8 A (courant moyen redressé limité par l'unité de commande)
  • Puissance d'entrée optique (Pon CS) : -15 à -1 dBm (CS : Signal de commande, valable pour la fibre optique plastique (POF) de 1 mm)
  • Puissance de bruit optique (Poff CS) : -45 dBm
  • Puissance de sortie optique (Pon SF) : -19 à -1 dBm (SF : retour d'état)
  • Puissance de bruit optique (Poff SF) : -50 dBm
  • Seuil de largeur d'impulsion (tGLITCH) : 400 ns (largeur d'impulsion max. sans réponse)
  • Largeur d'impulsion de retrigger externe (tretrig) : 700 à 1100 ns
  • Température de fonctionnement de la jonction (Tvj) : 0 à 125 °C
  • Plage de Température de Stockage (Tstg) : 0 à 60 °C
  • Température ambiante de fonctionnement (Ta) : 0 à 50 °C
  • Impedance Thermique Transitoire (Z(t)) pour GCT :
    • Ri(K/kW) : 8,769, 1,909, 1,218, 0,699
    • τi(s) : 0,5407, 0,0792, 0,0091, 0,0025
  • Impedance Thermique Transitoire (Z(t)) pour Diode :
    • Ri(K/kW) : 17 057, 5 007, 2 498, 1 439
    • τi(s) : 0,5460, 0,0829, 0,0089, 0,0023
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Description

Le ABB 5SHX 2645L0006 est un module de thyristor à porte commutée intégré à conduction inverse (IGCT) conçu pour des applications de commutation haute puissance. Optimisé pour des opérations à fréquence moyenne, il est largement utilisé dans les systèmes industriels et d'énergie renouvelable, y compris les Variateurs de Tension Moyenne (MVD), les systèmes de traction, la conversion d'énergie éolienne, les FACTS, les Disjoncteurs à État Solide (SSB), l'amélioration de la qualité de l'énergie et le chauffage par induction.

Caractéristiques

  • Taux de coupure sans amortisseur élevé
  • Optimisé pour les moyennes fréquences
  • Haute immunité électromagnétique
  • Interface de Contrôle Simple avec Retour d'État
  • Compatible avec la tension d'alimentation AC ou DC
  • Option de connexion en série (contacter l'usine pour plus de détails)

Spécifications techniques

  • Numéro d'article: 5SHX 2645L0006 | 3BHB012961R0002
  • Fabricant: ABB
  • Type de produit: Module IGCT à conduction inverse
  • Courant Nominal (ITGQM) : 2200 A
  • Tension de blocage maximale (VDRM) : 4500 V
  • Courant de surtension non répétitif maximal (ITSM) : 17 kA
  • Tension de seuil (VT0) : 1,8 V
  • Tension d'état passant (VT) : 2,3 à 2,95 V à IT = 2200 A, Tj = 125 °C
  • Résistance de pente (rT) : 0,533 mΩ
  • Tension DC permanente (VDC) : 2800 V
  • Courant d'état hors pic répétitif (IDRM) : ≤ 50 mA (VD = VDRM, Unité de commande activée)
  • Force de montage (FM) : 42 à 46 kN
  • Diamètre du pôle (Dp) : 85 mm ± 0,1 mm
  • Épaisseur du logement (H) : 25,7 à 26,2 mm (Fm serré = 44 kN)
  • Poids (m) : 2,9 kg
  • Distance de Creepage de Surface (DS) : 33 mm (Anode à la Grille)
  • Distance de frappe aérienne (Da) : 10 mm (Anode à la porte)
  • Longueur (l) : 439 mm ± 1,0 mm
  • Hauteur (h) : 41 mm ± 1,0 mm
  • Largeur (l) : 173 mm ± 1,0 mm
  • Courant moyen en état passant (IT(AV)M) : 1010 A (Demi-onde sinusoïdale, Tc = 85 °C)
  • Courant de conduction RMS (IT(RMS)) : 1590 A
  • Courant de surtension non répétitif de crête (ITSM) :
    • 25 kA (tp = 3 ms, Tj = 125 °C, onde sinusoïdale demi-onde)
    • 17 kA (tp = 10 ms, Tj = 125 °C, onde sinusoïdale demi-onde)
    • 13 kA (tp = 30 ms, Tj = 125 °C, onde sinusoïdale demi-onde)
  • Intégrale de charge limite (I²t) :
    • 938·10³ A²s (tp = 3 ms)
    • 1,45·10⁶ A²s (tp = 10 ms)
    • 2,55·10⁶ A²s (tp = 30 ms)
  • Taux critique d'augmentation du courant en état actif (diT/dt(cr)) : 100 A/µs
  • Délai d'activation (td(on)) : 3,5 µs (Tj = 125 °C, VD = 2800 V, IT = 2200 A, di/dt = VD / Li, Li = 5 µH, CCL = 10 µF, LCL = 300 nH, DCL = 5SDF 10H4503)
  • Retour d'état du temps de retard d'activation (td(on) SF) : 7 µs
  • Temps de montée (tr) : 1 µs
  • Énergie d'activation par impulsion (Eon) : 0,85 J
  • Courant de coupure contrôlable (ITGQM1) : 2200 A (VDM ≤ VDRM, Tj = 125 °C, Rs = 0,65 Ω, CCL = 10 µF, LCL ≤ 300 nH, DCL = 5SDF 10H4503, VD = 2800 V)
  • Courant de coupure contrôlable (ITGQM2) : 1100 A (VD = 3200 V)
  • Délai d'arrêt (td(off)) : 7 µs (VD = 2800 V, Tj = 125 °C, VDM ≤ VDRM, Rs = 0,65 Ω, ITGQ = 2200 A, Li = 5 µH, CCL = 10 µF, LCL = 300 nH, DCL = 5SDF 10H4503)
  • Statut de retour d'information du temps de retard de désactivation (td(off) SF) : 7 µs
  • Énergie de coupure par impulsion (Eoff) : 7,8 à 12 J
  • Courant moyen de l'état passant du diode (IF(AV)M) : 390 A (demi-onde sinusoïdale, TC = 85 °C)
  • Courant efficace en état passant du diode (IF(RMS)) : 620 A
  • Courant de surtension non répétitif de pointe de diode (IFSM) :
    • 14,3 kA (tp = 3 ms, Tj = 125 °C)
    • 10,6 kA (tp = 10 ms, Tj = 125 °C)
  • Intégrale de charge de limitation de diode (I²t) :
    • 307·10³ A²s (tp = 3 ms)
    • 562·10³ A²s (tp = 10 ms)
  • Tension de conduction de la diode (VF) : 3,54 à 5,4 V à IF = 1800 A, Tj = 125 °C
  • Tension de seuil de diode (V(F0)) : 2,7 V (Tj = 125 °C, IT = 400 A - 3000 A)
  • Résistance de pente de diode (rF) : 1,24 mΩ
  • Tension de récupération de pointe (VFRM) :
    • 80 V (dIF/dt = 650 A/µs, Tj = 125 °C)
    • 250 V (dIF/dt = 3000 A/µs, Tj = 125 °C)
  • Taux de décomposition du courant d'état actif (di/dt(cr)) :
    • 650 A/µs (IFM = 2200 A, Tj = 125 °C, VDClink = 2800 V)
    • 650 A/µs (IFM = 3200 A, Tj = 125 °C, VDClink = 1900 V)
  • Courant de récupération inverse (IRM) : 900 A (Tj = 125 °C, IFM = 2200 A, VD = 2800 V, -dIF/dt = 650 A/µs, LCL = 300 nH, CCL = 10 µF, Rs = 0,65 Ω, DCL = 5SDF 10H4503)
  • Charge de Récupération Inverse (Qrr) : 2800 µC
  • Énergie de coupure (Erec) : 2,7 à 4 J
  • Tension d'unité de porte (VGin) : 28 à 40 V (amplitude d'onde carrée AC ou tension DC, 15 kHz - 100 kHz)
  • Courant minimum pour alimenter l'unité de porte (IGin Min) : 2 A (courant moyen redressé)
  • Consommation d'énergie de l'unité de porte (PGin Max) : 130 W
  • Limitation de courant interne (IGin Max) : 8 A (courant moyen redressé limité par l'unité de commande)
  • Puissance d'entrée optique (Pon CS) : -15 à -1 dBm (CS : Signal de commande, valable pour la fibre optique plastique (POF) de 1 mm)
  • Puissance de bruit optique (Poff CS) : -45 dBm
  • Puissance de sortie optique (Pon SF) : -19 à -1 dBm (SF : retour d'état)
  • Puissance de bruit optique (Poff SF) : -50 dBm
  • Seuil de largeur d'impulsion (tGLITCH) : 400 ns (largeur d'impulsion max. sans réponse)
  • Largeur d'impulsion de retrigger externe (tretrig) : 700 à 1100 ns
  • Température de fonctionnement de la jonction (Tvj) : 0 à 125 °C
  • Plage de Température de Stockage (Tstg) : 0 à 60 °C
  • Température ambiante de fonctionnement (Ta) : 0 à 50 °C
  • Impedance Thermique Transitoire (Z(t)) pour GCT :
    • Ri(K/kW) : 8,769, 1,909, 1,218, 0,699
    • τi(s) : 0,5407, 0,0792, 0,0091, 0,0025
  • Impedance Thermique Transitoire (Z(t)) pour Diode :
    • Ri(K/kW) : 17 057, 5 007, 2 498, 1 439
    • τi(s) : 0,5460, 0,0829, 0,0089, 0,0023