5SHX 1060H0003 3BHB020538R0001| ABB| Module IGCT

SKU: 5SHX 1060H0003 3BHB020538R0001

Manufacturer: ABB
Product No.: 5SHX 1060H0003 3BHB020538R0001
Condition：En stock
Product Type: Module IGCT
Product Origin: Switzerland
Payment:T/T, Western Union
Weight: 2000g
Shipping port: Xiamen
Warranty: 12 months

Description

Le ABB 5SHX 1060H0003 est un module de thyristor à porte intégrée commuté inverse (IGCT) conçu pour des applications de commutation haute puissance. Ce semi-conducteur de puissance avancé est optimisé pour des opérations à fréquence moyenne à élevée et est largement utilisé dans les systèmes industriels et d'énergie renouvelable, y compris les entraînements à moyenne tension (MVD), les systèmes de traction, la conversion d'énergie éolienne, FACTS, les disjoncteurs à état solide (SSB), l'amélioration de la qualité de l'énergie et le chauffage par induction.

Caractéristiques

Haute capacité de coupure sans snubber : Élimine le besoin de circuits snubber externes.
Réponse rapide : Délai d'activation <3 µs, délai de désactivation < 6 µs.
Temps Précis : Variation du délai d'arrêt <800 ns.
Technologie de silicium flottant brevetée : Optimise la performance et la fiabilité.
Faibles pertes en état passant et de commutation : Améliore l'efficacité.
Très haute immunité EMI : Assure un fonctionnement fiable dans des environnements bruyants.
Indice de résistance aux radiations cosmiques : Convient aux conditions difficiles.

Spécifications techniques

Numéro d'article: 5SHX 1060H0003 3BHB020538R0001
Fabricant: ABB
Type de produit: Module IGCT à conduction inverse
Courant Nominal (ITGQM) : 900 A
Tension de blocage maximale (VDRM) : 5500 V
Courant de surtension non répétitif maximal (ITSM) : 7,5 kA (tp = 10 ms)
Tension de seuil (VT0) : 1,65 V
Tension d'état passant (VT) : ≤ 3,45 V à IT = 900 A
Résistance de pente (rT) : 2 mΩ
Tension DC permanente (VDClink) : 3300 V
Délai d'activation (tdon) : ≤ 3 µs
Délai de coupure (tdoff) : ≤ 6 µs
Énergie d'activation par impulsion (Eon) : ≤ 0,5 J
Énergie de désactivation par impulsion (Eoff) : ≤ 4,8 J
Taux maximal d'augmentation du courant en état passant (di/dtcrit) : 340 A/µs
Min. À l'heure (ton(min)) : 10 µs
Temps d'arrêt min. (toff(min)) : 10 µs
Courant moyen maximal en état passant (ITAVM) : 355 A
Max. Courant d'état à l'ON RMS (ITRMS) : 555 A
Courant de coupure contrôlable max. (ITGQM2) : 460 A (VD = 3900 V, LCL ≤ 0,6 µH)
Max. Courant moyen de l'état passant du diode (IFAVM) : 165 A
Max. Courant de diode en état passant RMS (IFRMS) : 260 A
Courant de diode de surtension non répétitif maximal (IFSM) : 17,5 kA (tp = 1 ms)
Tension de conduction de la diode (VF) : ≤ 6,4 V à IF = 900 A
Tension de seuil de diode (VF0) : 2,53 V
Résistance de pente de diode (rF) : 4,3 mΩ
Courant de récupération inverse (Irr) : ≤ 430 A
Énergie de coupure de la diode (Err) : ≤ 2,6 J
Tension de l'unité de porte (VGDC) : 20 ± 0,5 VDC
Consommation d'énergie de l'unité de porte (PGin) : ≤ 26 W
Puissance d'entrée optique (Pon CS) : > -20 dBm
Puissance de bruit optique (Poff CS) : <-45 dBm
Plage de température de fonctionnement du jonction (Tjop) : 0…115 °C
Plage de Température de Stockage (Tstg) : -40…60 °C
Plage de température opérationnelle ambiante (Tamb) : 0…60 °C
Résistance thermique jonction à boîtier (RthJC) : ≤ 25 K/kW (refroidi des deux côtés)
Résistance thermique du boîtier au dissipateur thermique (RthCH) : ≤ 8 K/kW (refroidi des deux côtés)
Force de montage (Fm) : 18…22 kN
Diamètre du pôle (Dp) : 63 mm ± 0,1 mm
Épaisseur du boîtier (H) : 26 mm ± 0,5 mm
Distance de Creepage de Surface (Ds) : ≥ 33 mm
Distance de frappe aérienne (Da) : ≥ 13 mm
Longueur (l) : 239 mm +0/-0,5 mm
Hauteur (h) : 62,5 mm ± 1,0 mm
Largeur (l) : 200 mm +0/-0,5 mm
Poids (m) : 1,7 kg

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