1 3

5SHX2645L0006 3BHB012961R0002 | TEJIDO| Módulo IGCT
SKU: 5SHX2645L0006 3BHB012961R0002

  • Manufacturer: ABB

  • Product No.: 5SHX2645L0006 3BHB012961R0002

  • Condition：En stock

  • Product Type: Módulo IGCT

  • Product Origin: Switzerland

  • Payment:T/T, Western Union

  • Weight: 2000g

  • Shipping port: Xiamen

  • Warranty: 12 months

Descripción

El ABB 5SHX 2645L0006 es un módulo de tiristor con conmutación de puerta integrada (IGCT) de conducción inversa diseñado para aplicaciones de conmutación de alta potencia. Optimizado para operaciones de media frecuencia, se utiliza ampliamente en sistemas industriales y de energía renovable, incluidos variadores de media tensión (MVD), sistemas de tracción, conversión de energía eólica, FACTS y disyuntores de estado sólido (SSB). , mejora de la calidad de la energía y calentamiento por inducción.

Características

  • Alto índice de apagado sin amortiguador
  • Optimizado para media frecuencia
  • Alta inmunidad electromagnética
  • Interfaz de control simple con retroalimentación de estado
  • Compatible con voltaje de suministro de CA o CC
  • Opción para conexión en serie (comuníquese con la fábrica para obtener más detalles)

Especificaciones técnicas

  • Número de pieza: 5SHX2645L0006 | 3BHB012961R0002
  • Fabricante: TEJIDO
  • Tipo de producto: Módulo IGCT de conducción inversa
  • Corriente nominal (ITGQM): 2200 A
  • Voltaje de bloqueo máximo (VDRM): 4500 V
  • Máx. Sobrecorriente máxima no repetitiva (ITSM): 17 kA
  • Voltaje umbral (VT0): 1,8 V
  • Voltaje en estado activo (VT): 2,3 a 2,95 V a IT = 2200 A, Tj = 125 °C
  • Resistencia a la pendiente (rT): 0,533 mΩ
  • Voltaje CC permanente (VCC): 2800 V
  • Corriente pico fuera de estado repetitiva (IDRM): ≤ 50 mA (VD = VDRM, unidad de puerta energizada)
  • Fuerza de montaje (FM): 42 a 46 kN
  • Diámetro de la pieza polar (Dp): 85 mm ± 0,1 mm
  • Espesor de la carcasa (H): 25,7 a 26,2 mm (fijado Fm = 44 kN)
  • Peso (m): 2,9 kg
  • Distancia de fuga de la superficie (DS): 33 mm (ánodo a puerta)
  • Distancia de ataque aéreo (Da): 10 mm (ánodo a puerta)
  • Longitud (l): 439 mm ± 1,0 mm
  • Altura (h): 41 mm ± 1,0 mm
  • Ancho (ancho): 173 mm ± 1,0 mm
  • Corriente promedio en estado encendido (IT(AV)M): 1010 A (media onda sinusoidal, Tc = 85 °C)
  • Corriente RMS en estado activo (IT(RMS)): 1590 A
  • Sobrecorriente máxima no repetitiva (ITSM):
    • 25 kA (tp = 3 ms, Tj = 125 °C, media onda sinusoidal)
    • 17 kA (tp = 10 ms, Tj = 125 °C, media onda sinusoidal)
    • 13 kA (tp = 30 ms, Tj = 125 °C, media onda sinusoidal)
  • Integral de carga límite (I²t):
    • 938·10³ A²s (tp = 3 ms)
    • 1,45·10⁶ A²s (tp = 10 ms)
    • 2,55·10⁶ A²s (tp = 30 ms)
  • Tasa crítica de aumento de la corriente en estado (diT/dt(cr)): 100 A/μs
  • Tiempo de retardo de encendido (td(on)): 3,5 µs (Tj = 125 °C, VD = 2800 V, IT = 2200 A, di/dt = VD / Li, Li = 5 µH, CCL = 10 µF, LCL = 300 nH, DCL = 5SDF 10H4503)
  • Retroalimentación del estado del tiempo de retardo de encendido (td(on) SF): 7 µs
  • Tiempo de subida (tr): 1 µs
  • Energía de encendido por pulso (Eon): 0,85 J
  • Corriente de apagado controlable (ITGQM1): 2200 A (VDM ≤ VDRM, Tj = 125 °C, Rs = 0,65 Ω, CCL = 10 µF, LCL ≤ 300 nH , DCL = 5SDF 10H4503, VD = 2800V)
  • Corriente de apagado controlable (ITGQM2): 1100 A (VD = 3200 V)
  • Tiempo de retardo de apagado (td(off)): 7 µs (VD = 2800 V, Tj = 125 °C, VDM ≤ VDRM, Rs = 0,65 Ω, ITGQ = 2200 A, Li = 5 µH, CCL = 10 µF, LCL = 300 nH, DCL = 5SDF 10H4503)
  • Retroalimentación del estado del tiempo de retardo de apagado (td(off) SF): 7 µs
  • Energía de apagado por pulso (Eoff): 7,8 a 12 J
  • Corriente promedio en estado de encendido del diodo (IF(AV)M): 390 A (media onda sinusoidal, TC = 85 °C)
  • Corriente en estado RMS del diodo (IF(RMS)): 620 A
  • Sobrecorriente no repetitiva de pico de diodo (IFSM):
    • 14,3 kA (tp = 3 ms, Tj = 125 °C)
    • 10,6 kA (tp = 10 ms, Tj = 125 °C)
  • Carga limitadora de diodo integral (I²t):
    • 307·10³ A²s (tp = 3 ms)
    • 562·10³ A²s (tp = 10 ms)
  • Voltaje en estado encendido (VF) del diodo: 3,54 a 5,4 V en IF = 1800 A, Tj = 125 °C
  • Voltaje umbral de diodo (V(F0)): 2,7 V (Tj = 125 °C, IT = 400 A - 3000 A)
  • Resistencia de pendiente del diodo (rF): 1,24 mΩ
  • Voltaje máximo de recuperación directa (VFRM):
    • 80 V (dIF/dt = 650 A/μs, Tj = 125 °C)
    • 250 V (dIF/dt = 3000 A/μs, Tj = 125 °C)
  • Tasa de caída de corriente en estado (di/dt(cr)):
    • 650 A/μs (IFM = 2200 A, Tj = 125 °C, VCC enlace = 2800 V)
    • 650 A/μs (IFM = 3200 A, Tj = 125 °C, VDClink = 1900 V)
  • Corriente de recuperación inversa (IRM): 900 A (Tj = 125 °C, IFM = 2200 A, VD = 2800 V, -dIF/dt = 650 A/μs, LCL = 300 nH, CCL = 10 µF, Rs = 0,65 Ω, DCL = 5SDF 10H4503)
  • Carga de recuperación inversa (Qrr): 2800 µC
  • Energía de apagado (Erec): 2,7 a 4 J
  • Voltaje de la unidad de puerta (VGin): 28 a 40 V (amplitud de onda cuadrada de CA o voltaje de CC, 15 kHz - 100 kHz)
  • Mín. Corriente para encender la unidad de puerta (IGin Min): 2 A (corriente promedio rectificada)
  • Consumo de energía de la unidad de puerta (PGin Max): 130 W
  • Limitación de corriente interna (IGin Max): 8 A (corriente promedio rectificada limitada por la unidad de puerta)
  • Potencia de entrada óptica (Pon CS): -15 a -1 dBm (CS: señal de comando, válida para fibra óptica plástica (POF) de 1 mm)
  • Potencia de ruido óptico (Poff CS): -45 dBm
  • Potencia de salida óptica (Pon SF): -19 a -1 dBm (SF: retroalimentación de estado)
  • Potencia de ruido óptico (Poff SF): -50 dBm
  • Umbral de ancho de pulso (tGLITCH): 400 ns (ancho de pulso máximo sin respuesta)
  • Ancho de pulso de reactivación externa (tretrig): 700 a 1100 ns
  • Temperatura de funcionamiento de la unión (Tvj): 0 a 125 °C
  • Rango de temperatura de almacenamiento (Tstg): 0 a 60 °C
  • Temperatura ambiente de funcionamiento (Ta): 0 a 50 °C
  • Impedancia térmica transitoria (Z(t)) para GCT:
    • Ri(K/kW): 8,769, 1,909, 1,218, 0,699
    • τi(s): 0,5407, 0,0792, 0,0091, 0,0025
  • Impedancia térmica transitoria (Z(t)) para diodo:
    • Ri(K/kW): 17.057, 5.007, 2.498, 1.439
    • τi(s): 0,5460, 0,0829, 0,0089, 0,0023
Información de pedido y garantía

Condiciones de compra y devoluciones

Directrices detalladas sobre cantidad mínima de pedido, tiempos de entrega, opciones de pago, garantía y políticas de devolución.

Revisalo ahora

Aceptamos con gusto pedidos al por mayor, con una cantidad mínima de pedido de solo una unidad.

Si lo solicita, podemos proporcionar todos los documentos necesarios, incluidos certificados de origen/conformidad y otros trámites de exportación requeridos.

Aceptamos pago 100% T/T (Transferencia Telegráfica) antes del envío. Para artículos con plazos de entrega, se requiere un depósito del 30 % por adelantado y el 70 % restante se debe pagar antes del envío. Para transferencias en RMB, contáctenos si tiene un agente en China.

Todos los artículos nuevos y originales vienen con una garantía estándar de un año. Para opciones de garantía extendida, no dude en contactarnos para obtener detalles sobre precios.

Priorizamos su satisfacción. Si necesita devolver un artículo, debe hacerlo dentro de los 30 días posteriores a la compra. El producto debe estar sin usar, sin abrir y en su embalaje original, incluidos todos los accesorios. Los reembolsos se procesarán dentro de los 5 a 7 días hábiles posteriores a la recepción de la devolución. Tenga en cuenta que los gastos de envío y manipulación no son reembolsables.
Revisalo ahora

Comparación de productos

5SHX2645L0006 3BHB012961R0002 | TEJIDO| Módulo IGCT
5SHX2645L0006 3BHB012961R0002 | TEJIDO| Módulo IGCT
5SHX2645L0006 3BHB012961R0002 | TEJIDO| Módulo IGCT
Producto actual Actual
ABB

5SHX2645L0006 3BHB012961R0002 | TEJIDO| Módulo IGCT

Opciones
En stock
Descripciones

Descripción

El ABB 5SHX 2645L0006 es un módulo de tiristor con conmutación de puerta integrada (IGCT) de conducción inversa diseñado para aplicaciones de conmutación de alta potencia. Optimizado para operaciones de media frecuencia, se utiliza ampliamente en sistemas industriales y de energía renovable, incluidos variadores de media tensión (MVD), sistemas de tracción, conversión de energía eólica, FACTS y disyuntores de estado sólido (SSB). , mejora de la calidad de la energía y calentamiento por inducción.

Características

  • Alto índice de apagado sin amortiguador
  • Optimizado para media frecuencia
  • Alta inmunidad electromagnética
  • Interfaz de control simple con retroalimentación de estado
  • Compatible con voltaje de suministro de CA o CC
  • Opción para conexión en serie (comuníquese con la fábrica para obtener más detalles)

Especificaciones técnicas

  • Número de pieza: 5SHX2645L0006 | 3BHB012961R0002
  • Fabricante: TEJIDO
  • Tipo de producto: Módulo IGCT de conducción inversa
  • Corriente nominal (ITGQM): 2200 A
  • Voltaje de bloqueo máximo (VDRM): 4500 V
  • Máx. Sobrecorriente máxima no repetitiva (ITSM): 17 kA
  • Voltaje umbral (VT0): 1,8 V
  • Voltaje en estado activo (VT): 2,3 a 2,95 V a IT = 2200 A, Tj = 125 °C
  • Resistencia a la pendiente (rT): 0,533 mΩ
  • Voltaje CC permanente (VCC): 2800 V
  • Corriente pico fuera de estado repetitiva (IDRM): ≤ 50 mA (VD = VDRM, unidad de puerta energizada)
  • Fuerza de montaje (FM): 42 a 46 kN
  • Diámetro de la pieza polar (Dp): 85 mm ± 0,1 mm
  • Espesor de la carcasa (H): 25,7 a 26,2 mm (fijado Fm = 44 kN)
  • Peso (m): 2,9 kg
  • Distancia de fuga de la superficie (DS): 33 mm (ánodo a puerta)
  • Distancia de ataque aéreo (Da): 10 mm (ánodo a puerta)
  • Longitud (l): 439 mm ± 1,0 mm
  • Altura (h): 41 mm ± 1,0 mm
  • Ancho (ancho): 173 mm ± 1,0 mm
  • Corriente promedio en estado encendido (IT(AV)M): 1010 A (media onda sinusoidal, Tc = 85 °C)
  • Corriente RMS en estado activo (IT(RMS)): 1590 A
  • Sobrecorriente máxima no repetitiva (ITSM):
    • 25 kA (tp = 3 ms, Tj = 125 °C, media onda sinusoidal)
    • 17 kA (tp = 10 ms, Tj = 125 °C, media onda sinusoidal)
    • 13 kA (tp = 30 ms, Tj = 125 °C, media onda sinusoidal)
  • Integral de carga límite (I²t):
    • 938·10³ A²s (tp = 3 ms)
    • 1,45·10⁶ A²s (tp = 10 ms)
    • 2,55·10⁶ A²s (tp = 30 ms)
  • Tasa crítica de aumento de la corriente en estado (diT/dt(cr)): 100 A/μs
  • Tiempo de retardo de encendido (td(on)): 3,5 µs (Tj = 125 °C, VD = 2800 V, IT = 2200 A, di/dt = VD / Li, Li = 5 µH, CCL = 10 µF, LCL = 300 nH, DCL = 5SDF 10H4503)
  • Retroalimentación del estado del tiempo de retardo de encendido (td(on) SF): 7 µs
  • Tiempo de subida (tr): 1 µs
  • Energía de encendido por pulso (Eon): 0,85 J
  • Corriente de apagado controlable (ITGQM1): 2200 A (VDM ≤ VDRM, Tj = 125 °C, Rs = 0,65 Ω, CCL = 10 µF, LCL ≤ 300 nH , DCL = 5SDF 10H4503, VD = 2800V)
  • Corriente de apagado controlable (ITGQM2): 1100 A (VD = 3200 V)
  • Tiempo de retardo de apagado (td(off)): 7 µs (VD = 2800 V, Tj = 125 °C, VDM ≤ VDRM, Rs = 0,65 Ω, ITGQ = 2200 A, Li = 5 µH, CCL = 10 µF, LCL = 300 nH, DCL = 5SDF 10H4503)
  • Retroalimentación del estado del tiempo de retardo de apagado (td(off) SF): 7 µs
  • Energía de apagado por pulso (Eoff): 7,8 a 12 J
  • Corriente promedio en estado de encendido del diodo (IF(AV)M): 390 A (media onda sinusoidal, TC = 85 °C)
  • Corriente en estado RMS del diodo (IF(RMS)): 620 A
  • Sobrecorriente no repetitiva de pico de diodo (IFSM):
    • 14,3 kA (tp = 3 ms, Tj = 125 °C)
    • 10,6 kA (tp = 10 ms, Tj = 125 °C)
  • Carga limitadora de diodo integral (I²t):
    • 307·10³ A²s (tp = 3 ms)
    • 562·10³ A²s (tp = 10 ms)
  • Voltaje en estado encendido (VF) del diodo: 3,54 a 5,4 V en IF = 1800 A, Tj = 125 °C
  • Voltaje umbral de diodo (V(F0)): 2,7 V (Tj = 125 °C, IT = 400 A - 3000 A)
  • Resistencia de pendiente del diodo (rF): 1,24 mΩ
  • Voltaje máximo de recuperación directa (VFRM):
    • 80 V (dIF/dt = 650 A/μs, Tj = 125 °C)
    • 250 V (dIF/dt = 3000 A/μs, Tj = 125 °C)
  • Tasa de caída de corriente en estado (di/dt(cr)):
    • 650 A/μs (IFM = 2200 A, Tj = 125 °C, VCC enlace = 2800 V)
    • 650 A/μs (IFM = 3200 A, Tj = 125 °C, VDClink = 1900 V)
  • Corriente de recuperación inversa (IRM): 900 A (Tj = 125 °C, IFM = 2200 A, VD = 2800 V, -dIF/dt = 650 A/μs, LCL = 300 nH, CCL = 10 µF, Rs = 0,65 Ω, DCL = 5SDF 10H4503)
  • Carga de recuperación inversa (Qrr): 2800 µC
  • Energía de apagado (Erec): 2,7 a 4 J
  • Voltaje de la unidad de puerta (VGin): 28 a 40 V (amplitud de onda cuadrada de CA o voltaje de CC, 15 kHz - 100 kHz)
  • Mín. Corriente para encender la unidad de puerta (IGin Min): 2 A (corriente promedio rectificada)
  • Consumo de energía de la unidad de puerta (PGin Max): 130 W
  • Limitación de corriente interna (IGin Max): 8 A (corriente promedio rectificada limitada por la unidad de puerta)
  • Potencia de entrada óptica (Pon CS): -15 a -1 dBm (CS: señal de comando, válida para fibra óptica plástica (POF) de 1 mm)
  • Potencia de ruido óptico (Poff CS): -45 dBm
  • Potencia de salida óptica (Pon SF): -19 a -1 dBm (SF: retroalimentación de estado)
  • Potencia de ruido óptico (Poff SF): -50 dBm
  • Umbral de ancho de pulso (tGLITCH): 400 ns (ancho de pulso máximo sin respuesta)
  • Ancho de pulso de reactivación externa (tretrig): 700 a 1100 ns
  • Temperatura de funcionamiento de la unión (Tvj): 0 a 125 °C
  • Rango de temperatura de almacenamiento (Tstg): 0 a 60 °C
  • Temperatura ambiente de funcionamiento (Ta): 0 a 50 °C
  • Impedancia térmica transitoria (Z(t)) para GCT:
    • Ri(K/kW): 8,769, 1,909, 1,218, 0,699
    • τi(s): 0,5407, 0,0792, 0,0091, 0,0025
  • Impedancia térmica transitoria (Z(t)) para diodo:
    • Ri(K/kW): 17.057, 5.007, 2.498, 1.439
    • τi(s): 0,5460, 0,0829, 0,0089, 0,0023