5SHX 1060H0003 3BHB020538R0001| TEJIDO| Módulo IGCT

SKU: 5SHX 1060H0003 3BHB020538R0001

Manufacturer: ABB
Product No.: 5SHX 1060H0003 3BHB020538R0001
Condition：En stock
Product Type: Módulo IGCT
Product Origin: Switzerland
Payment:T/T, Western Union
Weight: 2000g
Shipping port: Xiamen
Warranty: 12 months

Descripción

El ABB 5SHX 1060H0003 es un módulo de tiristor de compuerta integrada con conducción inversa (IGCT) diseñado para aplicaciones de conmutación de alta potencia. Este avanzado semiconductor de potencia está optimizado para operaciones de frecuencia media a alta y se utiliza ampliamente en sistemas industriales y de energía renovable, incluyendo Accionamientos de Media Tensión (MVD), sistemas de tracción, conversión de energía eólica, FACTS, Interruptores de Estado Sólido (SSB), mejora de la calidad de la energía y calentamiento por inducción.

Características

Alta clasificación de apagado sin amortiguador: Elimina la necesidad de circuitos amortiguadores externos.
Respuesta rápida: Retardo de encendido <3 µs, retraso de apagado < 6 µs.
Sincronización precisa: Variación del retardo de apagado <800 ns.
Tecnología patentada de silicio flotante libre: Optimiza el rendimiento y la confiabilidad.
Bajas pérdidas de estado y de conmutación: Mejora la eficiencia.
Muy alta inmunidad EMI: Garantiza un funcionamiento confiable en entornos ruidosos.
Clasificación de resistencia a la radiación cósmica: Adecuado para condiciones adversas.

Especificaciones técnicas

Número de pieza: 5SHX 1060H0003 3BHB020538R0001
Fabricante: TEJIDO
Tipo de producto: Módulo IGCT de conducción inversa
Corriente nominal (ITGQM): 900 A
Tensión de bloqueo máxima (VDRM): 5500 V
Máx. Sobretensión máxima no repetitiva (ITSM): 7,5 kA (tp = 10 ms)
Voltaje umbral (VT0): 1,65 V
Voltaje en estado activo (VT): ≤ 3,45 V en IT = 900 A
Resistencia a la pendiente (rT): 2 mΩ
Voltaje CC permanente (VDClink): 3300 V
Tiempo de retardo de encendido (tdon): ≤ 3 µs
Tiempo de retardo de apagado (tdoff): ≤ 6 µs
Energía de encendido por pulso (Eon): ≤ 0,5 J
Energía de apagado por pulso (Eoff): ≤ 4,8 J
Máx. Tasa de aumento de la corriente en estado (di/dtcrit): 340 A/μs
Mín. Tiempo de encendido (toneladas (min)): 10 µs
Mín. Tiempo libre (toff(min)): 10 µs
Máx. Corriente promedio en estado (ITAVM): 355 A
Máx. Corriente RMS en estado (ITRMS): 555 A
Máx. Corriente de apagado controlable (ITGQM2): 460 A (VD = 3900 V, LCL ≤ 0,6 µH)
Máx. Corriente promedio de diodo en estado (IFAVM): 165 A
Máx. Corriente de diodo en estado RMS (IFRMS): 260 A
Máx. Corriente máxima de diodo de sobretensión no repetitiva (IFSM): 17,5 kA (tp = 1 ms)
Voltaje en estado encendido (VF) del diodo: ≤ 6,4 V a IF = 900 A
Voltaje umbral de diodo (VF0): 2,53 V
Resistencia de pendiente del diodo (rF): 4,3 mΩ
Corriente de recuperación inversa (Irr): ≤ 430 A
Energía de apagado del diodo (Err): ≤ 2,6 J
Voltaje de la unidad de puerta (VGDC): 20 ± 0,5 VCC
Consumo de energía de la unidad de puerta (PGin): ≤ 26 W
Potencia de entrada óptica (Pon CS): > -20 dBm
Potencia de ruido óptico (Poff CS): <-45 dBm
Rango de temperatura de funcionamiento de la unión (Tjop): 0…115 °C
Rango de temperatura de almacenamiento (Tstg): -40…60 °C
Rango de temperatura ambiente operativa (Tamb): 0…60 °C
Unión de resistencia térmica a la caja (RthJC): ≤ 25 K/kW (refrigeración por doble lado)
Resistencia térmica caja al disipador térmico (RthCH): ≤ 8 K/kW (refrigeración por doble lado)
Fuerza de montaje (Fm): 18…22 kN
Diámetro de la pieza polar (Dp): 63 mm ± 0,1 mm
Grosor de la carcasa (H): 26 mm ± 0,5 mm
Distancia de fuga de la superficie (Ds): ≥ 33 mm
Distancia de ataque aéreo (Da): ≥ 13 mm
Longitud (l): 239 mm +0/-0,5 mm
Altura (h): 62,5 mm ± 1,0 mm
Ancho (an): 200 mm +0/-0,5 mm
Peso (m): 1,7 kg

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